电子元器件供应链解决方案商
上传BOM单
场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部应用
全部重置
结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQA401EEJ-T1_GE3MOSFET P-CH 20V 2.68A PPAK SC70 Vishay Siliconix |
2,945 | - |
|
数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® SC-70-6 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2.68A (Tc) | 2.5V, 4.5V | 113mOhm @ 2A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 5.3 nC @ 4.5 V | ±8V | 375 pF @ 10 V | - | 13.6W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PowerPAK® SC-70-6 |
|
SI8425DB-T1-E1MOSFET P-CH 20V 4WLCSP Vishay Siliconix |
2,882 | - |
|
数据手册 |
TrenchFET® | 4-UFBGA, WLCSP | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 5.9A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 23mOhm @ 2A, 4.5V | 900mV @ 250µA | 110 nC @ 10 V | ±10V | 2800 pF @ 10 V | - | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-WLCSP (1.6x1.6) |
|
SIS782DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8 Vishay Siliconix |
8,239 | - |
|
数据手册 |
- | PowerPAK® 1212-8 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 16A (Tc) | 4.5V, 10V | 9.5mOhm @ 10A, 10V | 2.3V @ 250µA | 30.5 nC @ 10 V | ±20V | 1025 pF @ 15 V | Schottky Diode (Body) | 41W (Tc) | -50°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 |
|
SI1467DH-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6 Vishay Siliconix |
2,850 | - |
|
数据手册 |
TrenchFET® | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2.7A (Tc) | 1.8V, 4.5V | 90mOhm @ 2A, 4.5V | 1V @ 250µA | 13.5 nC @ 4.5 V | ±8V | 561 pF @ 10 V | - | 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SC-70-6 |
|
|
SI1467DH-T1-BE3MOSFET P-CH 20V 3A/2.7A SC70-6 Vishay Siliconix |
2,810 | - |
|
数据手册 |
TrenchFET® | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2.7A (Tc) | - | 90mOhm @ 2A, 4.5V | 1V @ 250µA | 13.5 nC @ 4.5 V | ±8V | 561 pF @ 10 V | - | 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SC-70-6 |
|
SQ3457EV-T1_BE3MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP Vishay Siliconix |
2,106 | - |
|
数据手册 |
TrenchFET® | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 6.8A (Tc) | 4.5V, 10V | 65mOhm @ 6A, 10V | 2.5V @ 250µA | 21 nC @ 10 V | ±20V | 705 pF @ 15 V | - | 5W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | 6-TSOP |
|
SQ3493EV-T1_GE3MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP Vishay Siliconix |
3,373 | - |
|
数据手册 |
TrenchFET® | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 8A (Tc) | 2.5V, 4.5V | 21mOhm @ 5A, 4.5V | 1.4V @ 250µA | 34 nC @ 4.5 V | ±12V | 3300 pF @ 10 V | - | 5W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | 6-TSOP |
|
SIS472DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8 Vishay Siliconix |
17,574 | - |
|
数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® 1212-8 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 20A (Tc) | 4.5V, 10V | 8.9mOhm @ 15A, 10V | 2.5V @ 250µA | 30 nC @ 10 V | ±20V | 997 pF @ 15 V | - | 3.5W (Ta), 28W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 |
|
SI3473CDV-T1-BE3P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET Vishay Siliconix |
5,980 | - |
|
数据手册 |
- | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 12 V | 8A (Ta), 8A (Tc) | 1.8V, 4.5V | 22mOhm @ 8.1A, 4.5V | 1V @ 250µA | 65 nC @ 8 V | ±8V | 2010 pF @ 6 V | - | 2W (Ta), 4.2W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-TSOP |
|
SISH108DN-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH Vishay Siliconix |
5,971 | - |
|
数据手册 |
TrenchFET® Gen II | PowerPAK® 1212-8SH | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 14A (Ta) | 4.5V, 10V | 4.9mOhm @ 22A, 10V | 2V @ 250µA | 30 nC @ 4.5 V | ±16V | - | - | 1.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8SH |
