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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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SQ2308FES-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23 Vishay Siliconix |
8,173 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 2.3A (Tc) | 4.5V, 10V | 150mOhm @ 2.3A, 10V | 2.5V @ 250µA | 5.3 nC @ 10 V | ±20V | 205 pF @ 30 V | - | 2W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | SOT-23-3 (TO-236) |
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SQ2319CES-T1_GE3MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3 Vishay Siliconix |
7,670 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 4.6A (Tc) | 4.5V, 10V | 75mOhm @ 3A, 10V | 2.5V @ 250µA | 16 nC @ 10 V | ±20V | 620 pF @ 20 V | - | 3W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | SOT-23-3 (TO-236) |
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SQ2337CES-T1_GE3MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 Vishay Siliconix |
5,274 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 2.2A (Tc) | 6V, 10V | 290mOhm @ 1.2A, 10V | 2.5V @ 250µA | 18 nC @ 40 V | ±20V | 620 pF @ 40 V | - | 3W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | SOT-23-3 (TO-236) |
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SQJ166ELP-T1_GE3MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA Vishay Siliconix |
9,906 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® Gen IV | PowerPAK® SO-8 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 67A (Tc) | 4.5V, 10V | 9.7mOhm @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 29 nC @ 10 V | ±20V | 1903 pF @ 25 V | - | 89W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 |
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SQS124ELNW-T1_GE3MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA Vishay Siliconix |
7,710 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® Gen IV | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 107A (Tc) | 4.5V, 10V | 3mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 54 nC @ 10 V | ±20V | 2945 pF @ 25 V | - | 79W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount, Wettable Flank | PowerPAK® 1212-8SLW |
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SIS5712DN-T1-GE3MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8 Vishay Siliconix |
6,831 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® 1212-8 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 5.6A (Ta), 18A (Tc) | 7.5V, 10V | 55.5mOhm @ 5.6A, 10V | 4V @ 250µA | 11.3 nC @ 10 V | ±20V | 500 pF @ 75 V | - | 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 |
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SIR5812DP-T1-RE3MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8 Vishay Siliconix |
2,326 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® SO-8 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 13A (Ta), 45.3A (Tc) | 7.5V, 10V | 13.5mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 15 nC @ 10 V | ±20V | 775 pF @ 40 V | - | 4.1W (Ta), 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 |
