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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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V30408-T1-GE3MOSFET N-CH SMD Vishay Siliconix |
7,880 | - |
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数据手册 |
* | - | Tape & Reel (TR) | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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V30410-T1-GE3MOSFET N-CH SMD Vishay Siliconix |
8,792 | - |
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数据手册 |
* | - | Tape & Reel (TR) | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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V30429-T1-GE3MOSFET N-CH SMD Vishay Siliconix |
2,317 | - |
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数据手册 |
* | - | Tape & Reel (TR) | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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V30432-T1-GE3MOSFET N-CH SMD Vishay Siliconix |
7,213 | - |
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数据手册 |
* | - | Tape & Reel (TR) | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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SI7792DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK Vishay Siliconix |
9,617 | - |
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数据手册 |
SkyFET®, TrenchFET® Gen III | PowerPAK® SO-8 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 40.6A (Ta), 60A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.1mOhm @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 135 nC @ 10 V | ±20V | 4735 pF @ 15 V | Schottky Diode (Body) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 |
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SI7794DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 28.6A/60A PPAK Vishay Siliconix |
4,879 | - |
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数据手册 |
SkyFET®, TrenchFET® Gen III | PowerPAK® SO-8 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 28.6A (Ta), 60A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.4mOhm @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 72 nC @ 10 V | ±20V | 2520 pF @ 15 V | Schottky Diode (Body) | 5W (Ta), 48W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 |
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SIHB22N60S-GE3MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK Vishay Siliconix |
9,544 | - |
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数据手册 |
S | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 22A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 110 nC @ 10 V | ±30V | 2810 pF @ 25 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
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SQM40016EM_GE3MOSFET N-CH 40V 250A TO263-7 Vishay Siliconix |
5,813 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 250A (Tc) | 10V | 1mOhm @ 40A, 10V | 3.5V @ 250µA | 245 nC @ 10 V | ±20V | 15000 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | TO-263-7 |
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SQP10250E_GE3MOSFET N-CH 250V 53A TO220AB Vishay Siliconix |
7,051 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 53A (Tc) | 7.5V, 10V | 30mOhm @ 15A, 10V | 3.5V @ 250µA | 75 nC @ 10 V | ±20V | 4050 pF @ 25 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-220AB |
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SIA430DJ-T4-GE3MOSFET N-CH 20V 12A/12A PPAK Vishay Siliconix |
2,091 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® SC-70-6 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 12A (Ta), 12A (Tc) | 4.5V, 10V | 13.5mOhm @ 7A, 10V | 3V @ 250µA | 18 nC @ 10 V | ±20V | 800 pF @ 10 V | - | 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® SC-70-6 |
