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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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SQM25N15-52_GE3MOSFET N-CH 150V 25A TO263 Vishay Siliconix |
2,752 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 25A (Tc) | 10V | 52mOhm @ 15A, 10V | 4V @ 250µA | 51 nC @ 10 V | ±20V | 2360 pF @ 25 V | - | 107W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
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SQP100N04-3M6_GE3MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB Vishay Siliconix |
2,458 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 100A (Tc) | 10V | 3.6mOhm @ 30A, 10V | 3.5V @ 250µA | 135 nC @ 10 V | ±20V | 7200 pF @ 25 V | - | 120W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-220AB |
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SQP100P06-9M3L_GE3MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB Vishay Siliconix |
2,035 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 100A (Tc) | 4.5V, 10V | 9.3mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 300 nC @ 10 V | ±20V | 12010 pF @ 25 V | - | 187W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-220AB |
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SQP120N06-06_GE3MOSFET N-CH 60V 119A TO220AB Vishay Siliconix |
8,801 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 119A (Tc) | 10V | 6mOhm @ 30A, 10V | 3.5V @ 250µA | 145 nC @ 10 V | ±20V | 6495 pF @ 25 V | - | 175W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-220AB |
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SQP120N06-3M5L_GE3MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Vishay Siliconix |
3,902 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 120A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.5mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 330 nC @ 10 V | ±20V | 14700 pF @ 25 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-220AB |
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SQP120N06-6M7_GE3MOSFET N-CH 60V TO220AB Vishay Siliconix |
7,107 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | - | - | - | 119A (Tc) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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SQP120N10-3M8_GE3MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Vishay Siliconix |
5,828 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 120A (Tc) | 10V | 3.8mOhm @ 20A, 10V | 3.5V @ 250µA | 190 nC @ 10 V | ±20V | 7230 pF @ 25 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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SQP120P06-6M7L_GE3MOSFET P-CH 60V TO220AB Vishay Siliconix |
5,820 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | - | - | - | 119A (Tc) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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SQP25N15-52_GE3MOSFET N-CH 150V 25A TO220AB Vishay Siliconix |
9,617 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 25A (Tc) | 10V | 52mOhm @ 15A, 10V | 4V @ 250µA | 60 nC @ 10 V | ±20V | 2360 pF @ 25 V | - | 107W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-220AB |
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SQP50N06-09L_GE3MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB Vishay Siliconix |
4,627 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 9mOhm @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 72 nC @ 10 V | ±20V | 3065 pF @ 25 V | - | 136W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-220AB |
