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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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SQP50P03-07_GE3MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB Vishay Siliconix |
8,283 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 7mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 155 nC @ 10 V | ±20V | 5380 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-220AB |
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SQP60N06-15_GE3MOSFET N-CH 60V 56A TO220AB Vishay Siliconix |
9,534 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 56A (Tc) | 10V | 15mOhm @ 30A, 10V | 3.5V @ 250µA | 50 nC @ 10 V | ±20V | 2480 pF @ 25 V | - | 107W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-220AB |
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SQP90P06-07L_GE3MOSFET P-CH 60V 120A TO220AB Vishay Siliconix |
4,821 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 120A (Tc) | 4.5V, 10V | 6.7mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 270 nC @ 10 V | ±20V | 14280 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-220AB |
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SQV120N06-4M7L_GE3MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 Vishay Siliconix |
9,504 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 120A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.7mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 230 nC @ 10 V | ±20V | 8800 pF @ 25 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-262-3 |
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SQV120N10-3M8_GE3MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3 Vishay Siliconix |
7,056 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 120A (Tc) | 10V | 3.8mOhm @ 20A, 10V | 3.5V @ 250µA | 190 nC @ 10 V | ±20V | 7230 pF @ 25 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-262-3 |
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SUP45P03-09-GE3MOSFET P-CH 30V 45A TO220AB Vishay Siliconix |
4,771 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 45A (Tc) | 4.5V, 10V | 8.7mOhm @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 90 nC @ 10 V | ±20V | 2700 pF @ 15 V | - | 73.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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SQM40014EM_GE3MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7 Vishay Siliconix |
8,686 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 200A (Tc) | 10V | 1mOhm @ 35A, 10V | 3.5V @ 250µA | 250 nC @ 10 V | ±20V | 15525 pF @ 25 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | TO-263-7 |
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V30365-T1-GE3MOSFET N-CH SMD Vishay Siliconix |
8,564 | - |
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数据手册 |
* | - | Tape & Reel (TR) | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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V30391-T1-E3MOSFET N-CH SMD Vishay Siliconix |
6,379 | - |
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数据手册 |
* | - | Tape & Reel (TR) | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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V30406-T1-GE3MOSFET N-CH SMD Vishay Siliconix |
4,203 | - |
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数据手册 |
* | - | Tape & Reel (TR) | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
