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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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IRF720MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB Vishay Siliconix |
3,649 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 3.3A (Tc) | 10V | 1.8Ohm @ 2A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 410 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IRF710MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB Vishay Siliconix |
7,837 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 2A (Tc) | 10V | 3.6Ohm @ 1.2A, 10V | 4V @ 250µA | 17 nC @ 10 V | ±20V | 170 pF @ 25 V | - | 36W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IRF9640MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB Vishay Siliconix |
2,237 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 11A (Tc) | 10V | 500mOhm @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 44 nC @ 10 V | ±20V | 1200 pF @ 25 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IRFD120MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP Vishay Siliconix |
9,675 | - |
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数据手册 |
- | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 1.3A (Ta) | 10V | 270mOhm @ 780mA, 10V | 4V @ 250µA | 16 nC @ 10 V | ±20V | 360 pF @ 25 V | - | 1.3W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | 4-HVMDIP |
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IRF9520MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB Vishay Siliconix |
7,663 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 6.8A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 4.1A, 10V | 4V @ 250µA | 18 nC @ 10 V | ±20V | 390 pF @ 25 V | - | 60W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IRF9610MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB Vishay Siliconix |
7,290 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 1.8A (Tc) | 10V | 3Ohm @ 900mA, 10V | 4V @ 250µA | 11 nC @ 10 V | ±20V | 170 pF @ 25 V | - | 20W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IRFD220MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP Vishay Siliconix |
3,463 | - |
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数据手册 |
- | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 800mA (Ta) | 10V | 800mOhm @ 480mA, 10V | 4V @ 250µA | 14 nC @ 10 V | ±20V | 260 pF @ 25 V | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | 4-HVMDIP |
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IRF9530MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB Vishay Siliconix |
9,444 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 12A (Tc) | 10V | 300mOhm @ 7.2A, 10V | 4V @ 250µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 860 pF @ 25 V | - | 88W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IRF9620MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB Vishay Siliconix |
2,833 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 3.5A (Tc) | 10V | 1.5Ohm @ 1.5A, 10V | 4V @ 250µA | 22 nC @ 10 V | ±20V | 350 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IRF520MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB Vishay Siliconix |
7,832 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 9.2A (Tc) | 10V | 270mOhm @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 16 nC @ 10 V | ±20V | 360 pF @ 25 V | - | 60W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
