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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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IRFD9110MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP Vishay Siliconix |
7,453 | - |
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数据手册 |
- | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 700mA (Ta) | 10V | 1.2Ohm @ 420mA, 10V | 4V @ 250µA | 8.7 nC @ 10 V | ±20V | 200 pF @ 25 V | - | 1.3W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | 4-HVMDIP |
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IRFD9120MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP Vishay Siliconix |
2,052 | - |
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数据手册 |
- | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 1A (Ta) | 10V | 600mOhm @ 600mA, 10V | 4V @ 250µA | 18 nC @ 10 V | ±20V | 390 pF @ 25 V | - | 1.3W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | 4-HVMDIP |
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IRF9630MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB Vishay Siliconix |
9,901 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 6.5A (Tc) | 10V | 800mOhm @ 3.9A, 10V | 4V @ 250µA | 29 nC @ 10 V | ±20V | 700 pF @ 25 V | - | 74W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IRF610MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB Vishay Siliconix |
9,351 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 3.3A (Tc) | 10V | 1.5Ohm @ 2A, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 nC @ 10 V | ±20V | 140 pF @ 25 V | - | 36W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IRF530MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB Vishay Siliconix |
7,053 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 14A (Tc) | 10V | 160mOhm @ 8.4A, 10V | 4V @ 250µA | 26 nC @ 10 V | ±20V | 670 pF @ 25 V | - | 88W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IRF620MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB Vishay Siliconix |
5,210 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 5.2A (Tc) | 10V | 800mOhm @ 3.1A, 10V | 4V @ 250µA | 14 nC @ 10 V | ±20V | 260 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | -65°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IRF730MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB Vishay Siliconix |
2,891 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 5.5A (Tc) | 10V | 1Ohm @ 3.3A, 10V | 4V @ 250µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 700 pF @ 25 V | - | 74W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IRF740MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB Vishay Siliconix |
4,826 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 10A (Tc) | 10V | 550mOhm @ 6A, 10V | 4V @ 250µA | 63 nC @ 10 V | ±20V | 1400 pF @ 25 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IRF820MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB Vishay Siliconix |
5,456 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 2.5A (Tc) | 10V | 3Ohm @ 1.5A, 10V | 4V @ 250µA | 24 nC @ 10 V | ±20V | 360 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IRF830MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB Vishay Siliconix |
2,803 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 4.5A (Tc) | 10V | 1.5Ohm @ 2.7A, 10V | 4V @ 250µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 610 pF @ 25 V | - | 74W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
