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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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SUB75P03-07-E3MOSFET P-CH 30V 75A TO263 Vishay Siliconix |
4,231 | - |
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数据手册 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 75A (Tc) | 4.5V, 10V | 7mOhm @ 30A, 10V | 3V @ 250µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 9000 pF @ 25 V | - | 3.75W (Ta), 187W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
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SIHH11N65EF-T1-GE3MOSFET N-CH 650V 11A PPAK 8 X 8 Vishay Siliconix |
9,010 | - |
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数据手册 |
- | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 11A (Tc) | 10V | 382mOhm @ 6A, 10V | 4V @ 250µA | 70 nC @ 10 V | ±30V | 1243 pF @ 100 V | - | 130W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® 8 x 8 |
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SUM110N06-3M9H-E3MOSFET N-CH 60V 110A TO263 Vishay Siliconix |
2,358 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 110A (Tc) | 10V | 3.9mOhm @ 30A, 10V | 4.5V @ 250µA | 300 nC @ 10 V | ±20V | 15800 pF @ 25 V | - | 3.75W (Ta), 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
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SI7862ADP-T1-E3MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8 Vishay Siliconix |
5,261 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® SO-8 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 16 V | 18A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 3mOhm @ 29A, 4.5V | 2V @ 250µA | 80 nC @ 4.5 V | ±8V | 7340 pF @ 8 V | - | 1.9W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 |
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IRFP340MOSFET N-CH 400V 11A TO247-3 Vishay Siliconix |
9,033 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 11A (Tc) | 10V | 550mOhm @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 62 nC @ 10 V | ±20V | 1400 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
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IRFPE30MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3 Vishay Siliconix |
7,191 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 4.1A (Tc) | 10V | 3Ohm @ 2.5A, 10V | 4V @ 250µA | 78 nC @ 10 V | ±20V | 1300 pF @ 25 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
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IRFB20N50KPBFMOSFET N-CH 500V 20A TO220AB Vishay Siliconix |
7,795 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 20A (Tc) | 10V | 250mOhm @ 12A, 10V | 5V @ 250µA | 110 nC @ 10 V | ±30V | 2870 pF @ 25 V | - | 280W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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SIHK125N60E-T1-GE3E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1 Vishay Siliconix |
9,400 | - |
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数据手册 |
E | 8-PowerBSFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 21A (Tc) | 10V | 125mOhm @ 12A, 10V | 5V @ 250µA | 44 nC @ 10 V | ±30V | 1811 pF @ 100 V | - | 132W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK®10 x 12 |
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SIHH14N65E-T1-GE3MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8 Vishay Siliconix |
5,867 | - |
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数据手册 |
- | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 15A (Tc) | 10V | 260mOhm @ 7A, 10V | 4V @ 250µA | 96 nC @ 10 V | ±30V | 1712 pF @ 100 V | - | 156W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® 8 x 8 |
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IRFPG40MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3 Vishay Siliconix |
5,691 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 4.3A (Tc) | 10V | 3.5Ohm @ 2.6A, 10V | 4V @ 250µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 1600 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
