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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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SIHP30N60E-E3MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB Vishay Siliconix |
2,193 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 29A (Tc) | 10V | 125mOhm @ 15A, 10V | 4V @ 250µA | 130 nC @ 10 V | ±30V | 2600 pF @ 100 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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SIHG30N60E-E3MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC Vishay Siliconix |
8,540 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 29A (Tc) | 10V | 125mOhm @ 15A, 10V | 4V @ 250µA | 130 nC @ 10 V | ±30V | 2600 pF @ 100 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
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SQ2361EES-T1-GE3MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23-3 Vishay Siliconix |
6,583 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 2.5A (Tc) | 4.5V, 10V | 150mOhm @ 2.4A, 10V | 2.5V @ 250µA | 17 nC @ 10 V | ±20V | 545 pF @ 30 V | - | 2W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23-3 (TO-236) |
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SIR878ADP-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8 Vishay Siliconix |
9,097 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® SO-8 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 40A (Tc) | 4.5V, 10V | 14mOhm @ 15A, 10V | 2.8V @ 250µA | 42 nC @ 10 V | ±20V | 1275 pF @ 50 V | - | 5W (Ta), 44.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 |
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SIR788DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 Vishay Siliconix |
5,771 | - |
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数据手册 |
SkyFET®, TrenchFET® | PowerPAK® SO-8 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 60A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.4mOhm @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 75 nC @ 10 V | ±20V | 2873 pF @ 15 V | Schottky Diode (Body) | 5W (Ta), 48W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 |
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SI8439DB-T1-E1MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT Vishay Siliconix |
8,133 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | 4-UFBGA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 8 V | 5.9A (Ta) | 1.2V, 4.5V | 25mOhm @ 1.5A, 4.5V | 800mV @ 250µA | 50 nC @ 4.5 V | ±5V | - | - | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-Microfoot |
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SIA439EDJ-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 28A PPAK SC70-6 Vishay Siliconix |
3,415 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® SC-70-6 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 28A (Tc) | 1.8V, 4.5V | 16.5mOhm @ 5A, 4.5V | 1V @ 250µA | 69 nC @ 8 V | ±8V | 2410 pF @ 10 V | - | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | -50°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® SC-70-6 |
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IRFP460BPBFMOSFET N-CH 500V 20A TO247AC Vishay Siliconix |
3,528 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 20A (Tc) | 10V | 250mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 170 nC @ 10 V | ±20V | 3094 pF @ 100 V | - | 278W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
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SIB410DK-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SC75-6 Vishay Siliconix |
6,115 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® SC-75-6 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 9A (Tc) | 1.8V, 4.5V | 42mOhm @ 3.8A, 4.5V | 1V @ 250µA | 15 nC @ 8 V | ±8V | 560 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta), 13W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® SC-75-6 |
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2N6660JTX02MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD Vishay Siliconix |
6,821 | - |
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数据手册 |
- | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 990mA (Tc) | 5V, 10V | 3Ohm @ 1A, 10V | 2V @ 1mA | - | ±20V | 50 pF @ 25 V | - | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-205AD (TO-39) |
