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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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IRF644NLPBFMOSFET N-CH 250V 14A I2PAK Vishay Siliconix |
4,608 | - |
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数据手册 |
- | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 14A (Tc) | 10V | 240mOhm @ 8.4A, 10V | 4V @ 250µA | 54 nC @ 10 V | ±20V | 1060 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | I2PAK |
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IRFP254NPBFMOSFET N-CH 250V 23A TO247-3 Vishay Siliconix |
9,854 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 23A (Tc) | 10V | 125mOhm @ 14A, 10V | 4V @ 250µA | 100 nC @ 10 V | ±20V | 2040 pF @ 25 V | - | 220W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
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IRFP264NPBFMOSFET N-CH 250V 44A TO247-3 Vishay Siliconix |
8,709 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 44A (Tc) | 10V | 60mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 250µA | 210 nC @ 10 V | ±20V | 3860 pF @ 25 V | - | 380W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
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IRFP22N60C3PBFMOSFET N-CH 650V 22A TO247-3 Vishay Siliconix |
7,784 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 22A (Ta) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-247AC |
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IRF644NPBFMOSFET N-CH 250V 14A TO220AB Vishay Siliconix |
6,237 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 14A (Tc) | 10V | 240mOhm @ 8.4A, 10V | 4V @ 250µA | 54 nC @ 10 V | ±20V | 1060 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IRF644NSPBFMOSFET N-CH 250V 14A D2PAK Vishay Siliconix |
6,343 | - |
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数据手册 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 14A (Tc) | 10V | 240mOhm @ 8.4A, 10V | 4V @ 250µA | 54 nC @ 10 V | ±20V | 1060 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
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IRF644NSTRLPBFMOSFET N-CH 250V 14A D2PAK Vishay Siliconix |
8,152 | - |
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数据手册 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 14A (Tc) | 10V | 240mOhm @ 8.4A, 10V | 4V @ 250µA | 54 nC @ 10 V | ±20V | 1060 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
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IRFR9210TRLPBFMOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK Vishay Siliconix |
7,644 | - |
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数据手册 |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 1.9A (Tc) | 10V | 3Ohm @ 1.1A, 10V | 4V @ 250µA | 8.9 nC @ 10 V | ±20V | 170 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
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SI1419DH-T1-E3MOSFET P-CH 200V 300MA SC70-6 Vishay Siliconix |
2,419 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 300mA (Ta) | 6V, 10V | 5Ohm @ 400mA, 10V | 4.5V @ 100µA | 6.2 nC @ 10 V | ±20V | - | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SC-70-6 |
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SI1433DH-T1-E3MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6 Vishay Siliconix |
6,670 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 1.9A (Ta) | 4.5V, 10V | 150mOhm @ 2.2A, 10V | 3V @ 100µA | 5 nC @ 4.5 V | ±20V | - | - | 950mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SC-70-6 |
