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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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IRFIBE20GMOSFET N-CH 800V 1.4A TO220-3 Vishay Siliconix |
8,070 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 1.4A (Tc) | 10V | 6.5Ohm @ 840mA, 10V | 4V @ 250µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 530 pF @ 25 V | - | 30W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
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SI6410DQ-T1-E3MOSFET N-CH 30V 8TSSOP Vishay Siliconix |
7,534 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 7.8A (Ta) | 4.5V, 10V | 14mOhm @ 7.8A, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 33 nC @ 5 V | ±20V | - | - | 1.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-TSSOP |
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SI7194DP-T1-GE3MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 Vishay Siliconix |
2,046 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® SO-8 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 60A (Tc) | 4.5V, 10V | 2mOhm @ 20A, 10V | 2.6V @ 250µA | 145 nC @ 10 V | ±20V | 6590 pF @ 15 V | - | 5.4W (Ta), 83W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 |
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SI7860DP-T1-E3MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 Vishay Siliconix |
8,016 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® SO-8 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 11A (Ta) | 4.5V, 10V | 8mOhm @ 18A, 10V | 3V @ 250µA | 18 nC @ 4.5 V | ±20V | - | - | 1.8W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 |
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SUD17N25-165-E3MOSFET N-CH 250V 17A TO252 Vishay Siliconix |
9,188 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 17A (Tc) | 10V | 165mOhm @ 14A, 10V | 4V @ 250µA | 42 nC @ 10 V | ±20V | 1950 pF @ 25 V | - | 3W (Ta), 136W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
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SUD50P04-15-E3MOSFET P-CH 40V 50A TO252 Vishay Siliconix |
3,892 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 15mOhm @ 30A, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 130 nC @ 10 V | ±20V | 5400 pF @ 25 V | - | 3W (Ta), 100W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
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SQC40016E_DFFRN-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET Vishay Siliconix |
3,316 | - |
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数据手册 |
- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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SIHF35N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 32A TO220 Vishay Siliconix |
7,955 | - |
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数据手册 |
EF | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 32A (Tc) | 10V | 97mOhm @ 17A, 10V | 4V @ 250µA | 134 nC @ 10 V | ±30V | 2568 pF @ 100 V | - | 39W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 Full Pack |
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IRF540SMOSFET N-CH 100V 28A D2PAK Vishay Siliconix |
6,282 | - |
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数据手册 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 28A (Tc) | 10V | 77mOhm @ 17A, 10V | 4V @ 250µA | 72 nC @ 10 V | ±20V | 1700 pF @ 25 V | - | 3.7W (Ta), 150W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
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IRF540STRLMOSFET N-CH 100V 28A D2PAK Vishay Siliconix |
2,488 | - |
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数据手册 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 28A (Tc) | 10V | 77mOhm @ 17A, 10V | 4V @ 250µA | 72 nC @ 10 V | ±20V | 1700 pF @ 25 V | - | 3.7W (Ta), 150W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
