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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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SIHG22N50D-E3MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC Vishay Siliconix |
2,971 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 22A (Tc) | 10V | 230mOhm @ 11A, 10V | 5V @ 250µA | 98 nC @ 10 V | ±30V | 1938 pF @ 100 V | - | 312W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
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SUP36N20-54P-E3MOSFET N-CH 200V 36A TO220AB Vishay Siliconix |
9,524 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 36A (Tc) | 10V, 15V | 53mOhm @ 20A, 15V | 4.5V @ 250µA | 127 nC @ 15 V | ±25V | 3100 pF @ 25 V | - | 3.12W (Ta), 166W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IRFL9110MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 Vishay Siliconix |
9,857 | - |
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数据手册 |
- | TO-261-4, TO-261AA | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 1.1A (Tc) | 10V | 1.2Ohm @ 660mA, 10V | 4V @ 250µA | 8.7 nC @ 10 V | ±20V | 200 pF @ 25 V | - | 2W (Ta), 3.1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-223 |
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IRFL9110TRMOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 Vishay Siliconix |
9,666 | - |
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数据手册 |
- | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 1.1A (Tc) | 10V | 1.2Ohm @ 660mA, 10V | 4V @ 250µA | 8.7 nC @ 10 V | ±20V | 200 pF @ 25 V | - | 2W (Ta), 3.1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-223 |
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IRLI620GMOSFET N-CH 200V 4A TO220-3 Vishay Siliconix |
8,761 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 4A (Tc) | 4V, 5V | 800mOhm @ 2.4A, 5V | 2V @ 250µA | 16 nC @ 10 V | ±10V | 360 pF @ 25 V | - | 30W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
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IRFD9010PBFMOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP Vishay Siliconix |
6,578 | - |
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数据手册 |
- | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 50 V | 1.1A (Tc) | 10V | 500mOhm @ 580mA, 10V | 4V @ 250µA | 11 nC @ 10 V | ±20V | 240 pF @ 25 V | - | 1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | 4-HVMDIP |
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IRFR210TRRPBFMOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK Vishay Siliconix |
8,330 | - |
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数据手册 |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 2.6A (Tc) | 10V | 1.5Ohm @ 1.6A, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 nC @ 10 V | ±20V | 140 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
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SI8413DB-T1-E1MOSFET P-CH 20V 4.8A 4MICROFOOT Vishay Siliconix |
5,167 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | 4-XFBGA, CSPBGA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 4.8A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 48mOhm @ 1A, 4.5V | 1.4V @ 250µA | 21 nC @ 4.5 V | ±12V | - | - | 1.47W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-Microfoot |
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SIR640DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Vishay Siliconix |
5,763 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® SO-8 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 60A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.7mOhm @ 20A, 10V | 2.3V @ 250µA | 113 nC @ 10 V | ±20V | 4930 pF @ 20 V | - | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 |
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IRL530STRRMOSFET N-CH 100V 15A D2PAK Vishay Siliconix |
3,298 | - |
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数据手册 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 15A (Tc) | 4V, 5V | 160mOhm @ 9A, 5V | 2V @ 250µA | 28 nC @ 5 V | ±10V | 930 pF @ 25 V | - | 3.7W (Ta), 88W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
