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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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SUM70040M-GE3MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7 Vishay Siliconix |
1,290 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 120A (Tc) | 7.5V, 10V | 3.8mOhm @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 5100 pF @ 50 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263-7 |
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SUP70090E-GE3MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB Vishay Siliconix |
364 | - |
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数据手册 |
ThunderFET® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 50A (Tc) | 7.5V, 10V | 8.9mOhm @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 50 nC @ 10 V | ±20V | 1950 pF @ 50 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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SUP70040E-GE3MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Vishay Siliconix |
310 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 120A (Tc) | 7.5V, 10V | 4mOhm @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 5100 pF @ 50 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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SUP50020EL-GE3MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Vishay Siliconix |
261 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 120A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.3mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 126 nC @ 10 V | ±20V | 11113 pF @ 30 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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SUP70042E-GE3N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET TO- Vishay Siliconix |
575 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 150A (Tc) | 7.5V, 10V | 4mOhm @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 6490 pF @ 50 V | - | 278W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-220AB |
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SUP60020E-GE3MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB Vishay Siliconix |
500 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 150A (Tc) | 7.5V, 10V | 2.4mOhm @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 227 nC @ 10 V | ±20V | 10680 pF @ 40 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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SIHG17N80AE-GE3MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC Vishay Siliconix |
748 | - |
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数据手册 |
E | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 15A (Tc) | 10V | 290mOhm @ 8.5A, 10V | 4V @ 250µA | 62 nC @ 10 V | ±30V | 1260 pF @ 100 V | - | 179W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
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IRF840ASTRRPBFMOSFET N-CH 500V 8A D2PAK Vishay Siliconix |
725 | - |
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数据手册 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 8A (Tc) | 10V | 850mOhm @ 4.8A, 10V | 4V @ 250µA | 38 nC @ 10 V | ±30V | 1018 pF @ 25 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
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IRFIB7N50APBFMOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3 Vishay Siliconix |
197 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 6.6A (Tc) | 10V | 520mOhm @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 52 nC @ 10 V | ±30V | 1423 pF @ 25 V | - | 60W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
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SI7738DP-T1-E3MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8 Vishay Siliconix |
2,999 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® SO-8 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 30A (Tc) | 10V | 38mOhm @ 7.7A, 10V | 4V @ 250µA | 53 nC @ 10 V | ±20V | 2100 pF @ 75 V | - | 5.4W (Ta), 96W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 |
