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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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SIE804DF-T1-GE3MOSFET N-CH 150V 37A 10POLARPAK Vishay Siliconix |
6,047 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | 10-PolarPAK® (LH) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 37A (Tc) | 6V, 10V | 38mOhm @ 7.6A, 10V | 3V @ 250µA | 105 nC @ 10 V | ±20V | 3000 pF @ 50 V | - | 5.2W (Ta), 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 10-PolarPAK® (LH) |
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SIE844DF-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 44.5A 10POLARPAK Vishay Siliconix |
2,437 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | 10-PolarPAK® (U) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 44.5A (Tc) | 4.5V, 10V | 7mOhm @ 12.1A, 10V | 3V @ 250µA | 44 nC @ 10 V | ±20V | 2150 pF @ 15 V | - | 5.2W (Ta), 25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 10-PolarPAK® (U) |
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SIE848DF-T1-E3MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK Vishay Siliconix |
8,045 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | 10-PolarPAK® (L) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 60A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.6mOhm @ 25A, 10V | 2.5V @ 250µA | 138 nC @ 10 V | ±20V | 6100 pF @ 15 V | - | 5.2W (Ta), 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 10-PolarPAK® (L) |
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SIE854DF-T1-E3MOSFET N-CH 100V 60A 10POLARPAK Vishay Siliconix |
6,915 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | 10-PolarPAK® (L) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 60A (Tc) | 10V | 14.2mOhm @ 13.2A, 10V | 4.4V @ 250µA | 75 nC @ 10 V | ±20V | 3100 pF @ 50 V | - | 5.2W (Ta), 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 10-PolarPAK® (L) |
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SIE876DF-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 60A 10POLARPAK Vishay Siliconix |
8,438 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | 10-PolarPAK® (L) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 60A (Tc) | 10V | 6.1mOhm @ 20A, 10V | 4.4V @ 250µA | 77 nC @ 10 V | ±20V | 3100 pF @ 30 V | - | 5.2W (Ta), 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 10-PolarPAK® (L) |
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SIHF8N50L-E3MOSFET N-CH 500V 8A TO220 Vishay Siliconix |
3,447 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 Full Pack | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 8A (Tc) | 10V | 1Ohm @ 4A, 10V | 5V @ 250µA | 34 nC @ 0 V | ±30V | 873 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 Full Pack |
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SIJ400DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8 Vishay Siliconix |
5,921 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® SO-8 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 32A (Tc) | 4.5V, 10V | 4mOhm @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 150 nC @ 10 V | ±20V | 7765 pF @ 15 V | - | 5W (Ta), 69.4W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 |
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SIJ484DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 Vishay Siliconix |
9,265 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® SO-8 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 35A (Tc) | 4.5V, 10V | 6.3mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 45 nC @ 10 V | ±20V | 1600 pF @ 15 V | - | 5W (Ta), 27.7W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 |
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SIJ800DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8 Vishay Siliconix |
2,560 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® SO-8 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 20A (Tc) | 4.5V, 10V | 9.5mOhm @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 56 nC @ 10 V | ±20V | 2400 pF @ 20 V | - | 4.2W (Ta), 35.7W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 |
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SIR168DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Vishay Siliconix |
7,009 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® SO-8 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 40A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.4mOhm @ 15A, 10V | 2.4V @ 250µA | 75 nC @ 10 V | ±20V | 2040 pF @ 15 V | - | 5W (Ta), 34.7W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 |
