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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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SI8405DB-T1-E3MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT Vishay Siliconix |
4,929 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | 4-XFBGA, CSPBGA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 12 V | 3.6A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 55mOhm @ 1A, 4.5V | 950mV @ 250µA | 21 nC @ 4.5 V | ±8V | - | - | 1.47W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-Microfoot |
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SI8441DB-T2-E1MOSFET P-CH 20V 10.5A 6MICROFOOT Vishay Siliconix |
3,130 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | 6-UFBGA | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 10.5A (Tc) | 1.2V, 4.5V | 80mOhm @ 1A, 4.5V | 700mV @ 250µA | 13 nC @ 5 V | ±5V | 600 pF @ 10 V | - | 2.77W (Ta), 13W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
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SI9410BDY-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO Vishay Siliconix |
6,861 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 6.2A (Ta) | 4.5V, 10V | 24mOhm @ 8.1A, 10V | 3V @ 250µA | 23 nC @ 10 V | ±20V | - | - | 1.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
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SI9424BDY-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SO Vishay Siliconix |
6,919 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 5.6A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 25mOhm @ 7.1A, 4.5V | 850mV @ 250µA | 40 nC @ 4.5 V | ±9V | - | - | 1.25W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
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SI9434BDY-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO Vishay Siliconix |
4,010 | - |
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数据手册 |
- | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 4.5A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 40mOhm @ 6.3A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 18 nC @ 4.5 V | ±8V | - | - | 1.3W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
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SIA850DJ-T1-GE3MOSFET N-CH 190V 950MA PPAK Vishay Siliconix |
5,294 | - |
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数据手册 |
LITTLE FOOT® | PowerPAK® SC-70-6 Dual | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 190 V | 950mA (Tc) | 1.8V, 4.5V | 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V | 1.4V @ 250µA | 4.5 nC @ 10 V | ±16V | 90 pF @ 100 V | Schottky Diode (Isolated) | 1.9W (Ta), 7W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
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SIB408DK-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6 Vishay Siliconix |
4,442 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® SC-75-6 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 7A (Tc) | 4.5V, 10V | 40mOhm @ 6A, 10V | 2.5V @ 250µA | 9.5 nC @ 10 V | ±20V | 350 pF @ 15 V | - | 2.4W (Ta), 13W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® SC-75-6 |
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SIB411DK-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6 Vishay Siliconix |
4,329 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® SC-75-6 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 9A (Tc) | 1.8V, 4.5V | 66mOhm @ 3.3A, 4.5V | 1V @ 250µA | 15 nC @ 8 V | ±8V | 470 pF @ 10 V | - | 2.4W (Ta), 13W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® SC-75-6 |
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SIE726DF-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK Vishay Siliconix |
6,317 | - |
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数据手册 |
SkyFET®, TrenchFET® | 10-PolarPAK® (L) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 60A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.4mOhm @ 25A, 10V | 3V @ 250µA | 160 nC @ 10 V | ±20V | 7400 pF @ 15 V | - | 5.2W (Ta), 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 10-PolarPAK® (L) |
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SIE800DF-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 50A 10POLARPAK Vishay Siliconix |
8,600 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | 10-PolarPAK® (S) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 7.2mOhm @ 11A, 10V | 3V @ 250µA | 35 nC @ 10 V | ±20V | 1600 pF @ 15 V | - | 5.2W (Ta), 104W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 10-PolarPAK® (S) |
