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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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IRF9Z34STRLMOSFET P-CH 60V 18A D2PAK Vishay Siliconix |
2,308 | - |
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数据手册 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 18A (Tc) | 10V | 140mOhm @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 34 nC @ 10 V | ±20V | 1100 pF @ 25 V | - | 3.7W (Ta), 88W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
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SUM110N04-03-E3MOSFET N-CH 40V 110A TO263 Vishay Siliconix |
4,895 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 110A (Tc) | 10V | 2.8mOhm @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 250 nC @ 10 V | ±20V | 8250 pF @ 25 V | - | 3.75W (Ta), 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
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IRF730ASTRLPBFMOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK Vishay Siliconix |
4,916 | - |
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数据手册 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 5.5A (Tc) | 10V | 1Ohm @ 3.3A, 10V | 4.5V @ 250µA | 22 nC @ 10 V | ±30V | 600 pF @ 25 V | - | 74W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
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IRFB9N65AMOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB Vishay Siliconix |
9,301 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 8.5A (Tc) | 10V | 930mOhm @ 5.1A, 10V | 4V @ 250µA | 48 nC @ 10 V | ±30V | 1417 pF @ 25 V | - | 167W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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IRFSL9N60AMOSFET N-CH 600V 9.2A TO262-3 Vishay Siliconix |
7,221 | - |
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数据手册 |
- | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 9.2A (Tc) | 10V | 750mOhm @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 49 nC @ 10 V | ±30V | 1400 pF @ 25 V | - | 170W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262-3 |
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SI7138DP-T1-E3MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8 Vishay Siliconix |
6,271 | - |
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数据手册 |
- | PowerPAK® SO-8 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 30A (Tc) | 6V, 10V | 7.8mOhm @ 19.7A, 10V | 4V @ 250µA | 135 nC @ 10 V | ±20V | 6900 pF @ 30 V | - | 5.4W (Ta), 96W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 |
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SI4448DY-T1-E3MOSFET N-CH 12V 50A 8SO Vishay Siliconix |
2,702 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 12 V | 50A (Tc) | 1.8V, 4.5V | 1.7mOhm @ 20A, 4.5V | 1V @ 250µA | 150 nC @ 4.5 V | ±8V | 12350 pF @ 6 V | - | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
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SIHG35N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC Vishay Siliconix |
5,791 | - |
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数据手册 |
EF | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 32A (Tc) | 10V | 97mOhm @ 17A, 10V | 4V @ 250µA | 134 nC @ 10 V | ±30V | 2568 pF @ 100 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
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SI7454DP-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8 Vishay Siliconix |
8,066 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® SO-8 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 5A (Ta) | 6V, 10V | 34mOhm @ 7.8A, 10V | 4V @ 250µA | 30 nC @ 10 V | ±20V | - | - | 1.9W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 |
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SI4404DY-T1-E3MOSFET N-CH 30V 15A 8SO Vishay Siliconix |
2,833 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 15A (Ta) | 4.5V, 10V | 6.5mOhm @ 23A, 10V | 3V @ 250µA | 55 nC @ 4.5 V | ±20V | - | - | 1.6W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
