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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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SIHL620STRL-GE3LOGIC MOSFET N-CHANNEL 200V Vishay Siliconix |
776 | - |
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数据手册 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 5.2A (Tc) | 4V, 10V | 800mOhm @ 3.1A, 10V | 2V @ 250µA | 16 nC @ 5 V | ±10V | 360 pF @ 25 V | - | 3.1W (Ta), 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
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SIHL620S-GE3LOGIC MOSFET N-CHANNEL 200V Vishay Siliconix |
686 | - |
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数据手册 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 5.2A (Tc) | 4V, 10V | 800mOhm @ 3.1A, 10V | 2V @ 250µA | 16 nC @ 5 V | ±10V | 360 pF @ 25 V | - | 3.1W (Ta), 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
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SQS484EN-T1_BE3MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8 Vishay Siliconix |
10,083 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® 1212-8 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 16A (Tc) | 4.5V, 10V | 9mOhm @ 16.4A, 10V | 2.5V @ 250µA | 39 nC @ 10 V | ±20V | 1855 pF @ 25 V | - | 62W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 |
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SI4436DY-T1-E3MOSFET N-CH 60V 8A 8SO Vishay Siliconix |
11,843 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 8A (Tc) | 4.5V, 10V | 36mOhm @ 4.6A, 10V | 2.5V @ 250µA | 32 nC @ 10 V | ±20V | 1100 pF @ 30 V | - | 2.5W (Ta), 5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
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SI9435BDY-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO Vishay Siliconix |
2,371 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 4.1A (Ta) | 10V | 42mOhm @ 5.7A, 10V | 3V @ 250µA | 24 nC @ 10 V | ±20V | - | - | 1.3W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
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SI3499DV-T1-GE3MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP Vishay Siliconix |
5,318 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 8 V | 5.3A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 23mOhm @ 7A, 4.5V | 750mV @ 250µA | 42 nC @ 4.5 V | ±5V | - | - | 1.1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-TSOP |
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SQJ415EP-T1_BE3P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Vishay Siliconix |
3,000 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® SO-8 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 30A (Tc) | 4.5V, 10V | 14mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 95 nC @ 10 V | ±20V | 6000 pF @ 25 V | - | 45W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 |
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SQS484EN-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8 Vishay Siliconix |
2,518 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® 1212-8 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 16A (Tc) | 4.5V, 10V | 9mOhm @ 16.4A, 10V | 2.5V @ 250µA | 39 nC @ 10 V | ±20V | 1855 pF @ 25 V | - | 62W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 |
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SI2337DS-T1-GE3MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 Vishay Siliconix |
2,261 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 2.2A (Tc) | 6V, 10V | 270mOhm @ 1.2A, 10V | 4V @ 250µA | 17 nC @ 10 V | ±20V | 500 pF @ 40 V | - | 760mW (Ta), 2.5W (Tc) | -50°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23-3 (TO-236) |
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SI3499DV-T1-BE3P-CHANNEL 1.5-V (G-S) MOSFET Vishay Siliconix |
270 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 8 V | 5.3A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 23mOhm @ 7A, 4.5V | 750mV @ 250µA | 42 nC @ 4.5 V | ±5V | - | - | 1.1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-TSOP |
