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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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SI1411DH-T1-BE3MOSFET P-CH 150V 420MA SC70-6 Vishay Siliconix |
803 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 420mA (Ta) | - | 2.6Ohm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 100µA | 6.3 nC @ 10 V | ±20V | - | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SC-70-6 |
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SI3437DV-T1-BE3P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET Vishay Siliconix |
2,640 | - |
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数据手册 |
- | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 1.1A (Ta), 1.4A (Tc) | 6V, 10V | 750mOhm @ 1.4A, 10V | 4V @ 250µA | 19 nC @ 10 V | ±20V | 510 pF @ 50 V | - | 2W (Ta), 3.2W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-TSOP |
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SIHD3N50D-GE3MOSFET N-CH 500V 3A TO252AA Vishay Siliconix |
2,980 | - |
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数据手册 |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 3A (Tc) | 10V | 3.2Ohm @ 2.5A, 10V | 5V @ 250µA | 12 nC @ 10 V | ±30V | 175 pF @ 100 V | - | 69W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
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SIS4608LDN-T1-GE3N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Vishay Siliconix |
5,985 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® Gen IV | PowerPAK® 1212-8 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 12.6A (Ta), 36.2A (Tc) | 4.5V, 10V | 11.5mOhm @ 10A, 10V | 3V @ 250µA | 23 nC @ 10 V | ±20V | 905 pF @ 30 V | - | 3.3W (Ta), 27.1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 |
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SQJA88EP-T1_BE3N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Vishay Siliconix |
3,000 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® SO-8 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 30A (Tc) | 4.5V, 10V | 7mOhm @ 8A, 10V | 2.5V @ 250µA | 35 nC @ 10 V | ±20V | 1800 pF @ 25 V | - | 48W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 |
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SIHFR320TRL-GE3MOSFET N-CHANNEL 400V Vishay Siliconix |
2,784 | - |
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数据手册 |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 3.1A (Tc) | 10V | 1.8Ohm @ 1.9A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 350 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 42W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
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SISA12BDN-T1-GE3N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE Vishay Siliconix |
5,950 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® Gen IV | PowerPAK® 1212-8 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 24A (Ta), 87A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.3mOhm @ 10A, 10V | 2.4V @ 250µA | 32 nC @ 10 V | +20V, -16V | 1470 pF @ 15 V | - | 4W (Ta), 52W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 |
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SQJ420EP-T1_BE3N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Vishay Siliconix |
5,774 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | PowerPAK® SO-8 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 30A (Tc) | 4.5V, 10V | 10mOhm @ 9.7A, 10V | 2.5V @ 250µA | 41 nC @ 10 V | ±20V | 1860 pF @ 25 V | - | 45W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 |
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SI9433BDY-T1-E3MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO Vishay Siliconix |
1,475 | - |
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数据手册 |
- | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 4.5A (Ta) | 2.7V, 4.5V | 40mOhm @ 6.2A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 14 nC @ 4.5 V | ±12V | - | - | 1.3W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
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SI9433BDY-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO Vishay Siliconix |
179 | - |
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数据手册 |
- | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 4.5A (Ta) | 2.7V, 4.5V | 40mOhm @ 6.2A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 14 nC @ 4.5 V | ±12V | - | - | 1.3W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
