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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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SSM3K121TUMOSFET N-CH 20V 3.5A SC70 Toshiba Semiconductor and Storage |
8,316 | - |
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数据手册 |
- | 3-SMD, Flat Leads | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 3.2A (Ta) | 1.5V, 4V | 48mOhm @ 2A, 4V | 1V @ 1mA | 5.9 nC @ 4 V | ±10V | 400 pF @ 10 V | - | 500mW (Ta) | 150°C | - | - | Surface Mount | UFM |
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TJ20A10M3(STA4,QTJ20A10M3(STA4,Q Toshiba Semiconductor and Storage |
2,915 | - |
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数据手册 |
U-MOSVI | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 20A (Ta) | 10V | 90mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 5500 pF @ 10 V | - | 35W (Tc) | 150°C | - | - | Through Hole | TO-220SIS |
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SSM3J35FS,LFSMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:- Toshiba Semiconductor and Storage |
3,833 | - |
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数据手册 |
- | SC-75, SOT-416 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 100mA (Ta) | 1.2V, 4V | 8Ohm @ 50mA, 4V | 1V @ 1mA | - | ±10V | 12.2 pF @ 3 V | - | 100mW (Ta) | 150°C | - | - | Surface Mount | SSM |
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SSM3K121TU,LFMOSFET N-CH 20V 3.2A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage |
2,154 | - |
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数据手册 |
- | 3-SMD, Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 3.2A (Ta) | 1.5V, 4V | 48mOhm @ 2A, 4V | 1V @ 1mA | 5.9 nC @ 4 V | ±10V | 400 pF @ 10 V | - | 500mW (Ta) | 150°C | - | - | Surface Mount | UFM |
