电子元器件供应链解决方案商
上传BOM单
场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部应用
全部重置
结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF512N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation |
5,823 | - |
|
数据手册 |
- | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 4.9A (Tc) | 10V | 740mOhm @ 3.4A, 10V | 4V @ 250µA | 7.7 nC @ 10 V | ±20V | 135 pF @ 25 V | - | 43W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
|
RFM12P08P-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation |
9,592 | - |
|
数据手册 |
- | TO-204AA, TO-3 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 12A (Tc) | 10V | 300mOhm @ 6A, 10V | 4V @ 1mA | - | ±20V | 1500 pF @ 25 V | - | 100W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3 |
|
IRF830MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3 Harris Corporation |
7,963 | - |
|
数据手册 |
- | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 4.5A (Tc) | - | 1.5Ohm @ 2.5A, 10V | 4V @ 250µA | 32 nC @ 10 V | ±20V | 600 pF @ 25 V | - | 75W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
