电子元器件供应链解决方案商
上传BOM单
场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部应用
全部重置
结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN2R3-80SSFJNEXTPOWER 80/100V MOSFETS Nexperia USA Inc. |
2,000 | - |
|
数据手册 |
- | SOT-1235 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 240A (Ta) | 7V, 10V | 2.3mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 184 nC @ 10 V | ±20V | 12320 pF @ 40 V | - | 341W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LFPAK88 (SOT1235) |
|
BUK762R6-60E,118MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Nexperia USA Inc. |
4,795 | - |
|
数据手册 |
TrenchMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 120A (Tc) | 10V | 2.6mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 140 nC @ 10 V | ±20V | 10170 pF @ 25 V | - | 324W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | D2PAK |
|
|
GAN140-650FBEZ650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE Nexperia USA Inc. |
2,327 | - |
|
数据手册 |
- | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 17A (Tc) | 6V | 140mOhm @ 5A, 6V | 2.5V @ 17.2mA | 3.5 nC @ 6 V | +7V, -1.4V | 125 pF @ 400 V | - | 113W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount, Wettable Flank | DFN5060-5 |
|
|
PSMN2R9-100SSEJPOWERMOS ASFETS Nexperia USA Inc. |
2,000 | - |
|
数据手册 |
- | SOT-1235 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 210A (Ta) | 10V | 2.9mOhm @ 25A, 10V | 3.6V @ 1mA | 188 nC @ 10 V | ±20V | 13280 pF @ 50 V | - | 341W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LFPAK88 (SOT1235) |
|
|
PSMN2R5-80SSEJPOWERMOS ASFETS Nexperia USA Inc. |
1,995 | - |
|
数据手册 |
- | SOT-1235 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 190A (Ta) | 10V | 2.5mOhm @ 25A, 10V | 3.6V @ 1mA | 174 nC @ 10 V | ±20V | 13485 pF @ 40 V | - | 341W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LFPAK88 (SOT1235) |
|
|
BUK7J1R0-40HXBUK7J1R0-40H/SOT1023/4 LEADS Nexperia USA Inc. |
2,079 | - |
|
数据手册 |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | 220A (Tc) | - | - | - | - | +20V, -10V | - | - | - | - | Automotive | AEC-Q101 | - | - |
|
|
GAN140-650EBEZ650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE Nexperia USA Inc. |
2,429 | - |
|
数据手册 |
- | 8-VDFN Exposed Pad | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 17A (Tc) | 6V | 140mOhm @ 5A, 6V | 2.5V @ 17.2mA | 3.5 nC @ 6 V | +7V, -1.4V | 125 pF @ 400 V | - | 113W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount, Wettable Flank | DFN8080-8 |
|
|
GANE3R9-150QBAZGANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7 Nexperia USA Inc. |
2,430 | - |
|
数据手册 |
- | 25-PowerVFQFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 150 V | 100A (Ta) | 5V | 3.9mOhm @ 30A, 5V | 2.1V @ 12mA | 20 nC @ 5 V | +6V, -4V | 2200 pF @ 75 V | - | 65W (Ta) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 25-VQFN (4x6) |
|
|
GAN111-650WSBQGAN111-650WSB/SOT429/TO-247 Nexperia USA Inc. |
249 | - |
|
数据手册 |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 21A (Ta) | 10V | 114mOhm @ 14A, 10V | 4.8V @ 1mA | 4.9 nC @ 10 V | ±20V | 336 pF @ 400 V | - | 107W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3L |
|
|
PSMN1R8-80SSFJNEXTPOWER 80/100V MOSFETS Nexperia USA Inc. |
1,771 | - |
|
数据手册 |
- | SOT-1235 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 270A (Tc) | 7V, 10V | 1.8mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 222 nC @ 10 V | ±20V | 15319 pF @ 40 V | - | 341W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LFPAK88 (SOT1235) |
