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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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NSF060120L3A0QNSF060120L3A0/SOT429-2/TO247-3 Nexperia USA Inc. |
450 | - |
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数据手册 |
- | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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NSF060120L4A0QNSF060120L4A0/SOT8071/TO247-4L Nexperia USA Inc. |
450 | - |
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数据手册 |
- | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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NSF040120D7A0JNSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L Nexperia USA Inc. |
800 | - |
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数据手册 |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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GAN039-650NBBHP650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE ( Nexperia USA Inc. |
935 | - |
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数据手册 |
- | 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 60A (Tc) | 10V | 39mOhm @ 32A, 10V | 4.8V @ 1mA | 30 nC @ 10 V | ±20V | 1500 pF @ 400 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | CCPAK1212 |
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NSF030120D7A0JNSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L Nexperia USA Inc. |
800 | - |
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数据手册 |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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NSF030120L3A0QNSF030120L3A0/SOT429-2/TO247-3 Nexperia USA Inc. |
450 | - |
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数据手册 |
- | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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NSF030120L4A0QNSF030120L4A0/SOT8071/TO247-4L Nexperia USA Inc. |
450 | - |
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数据手册 |
- | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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NSF040120L3A0QSIC MOSFET / 40MOHM / 1200V / TO Nexperia USA Inc. |
412 | - |
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数据手册 |
- | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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NSF040120L4A0QNSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L Nexperia USA Inc. |
432 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 65A (Tj) | 15V, 18V | 60mOhm @ 40A, 15V | 2.9V @ 4mA | 95 nC @ 15 V | +22V, -10V | 2600 pF @ 800 V | - | 306W (Tj) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 |
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NX7002BKVLMOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB Nexperia USA Inc. |
5,275 | - |
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数据手册 |
TrenchMOS™ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 270mA (Ta) | 5V, 10V | 2.8Ohm @ 200mA, 10V | 2.1V @ 250µA | 1 nC @ 10 V | ±20V | 23.6 pF @ 10 V | - | 310mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-236AB |
