FF200R12KE4HOSA1

Infineon Technologies FF200R12KE4HOSA1出售多余库存

产品型号:
FF200R12KE4HOSA1
制造商:
Infineon Technologies
分类:
IGBT 模块
封装:
Module
数据手册:
FF200R12KE4HOSA1.pdf
描述:
IGBT MOD 1200V 240A 1100W
数量:

单价:¥0

总价:¥0

支付方式:
支付方式
运输方式:
运输方式
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  • 采购与询价
产品属性
属性值
制造商
Infineon Technologies
系列:
C
封装/外壳:
Module
包装:
Tray
产品状态:
Active
IGBT 类型:
Trench Field Stop
配置:
Half Bridge
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
240 A
功率 - 最大值:
1100 W
导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 200A
电流 - 集电极截止(最大值):
5 mA
输入电容 (Cies) @ Vce:
14 nF @ 25 V
输入:
Standard
NTC 热敏电阻:
No
工作温度:
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:
Chassis Mount
供应商设备封装:
Module
分类:
IGBT 模块
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结果:

1. 如何在OEM STOCK上订购FF200R12KE4HOSA1

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步骤6:条形码货运标签
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步骤5:包装盒
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步骤4:单独包装
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步骤3:防静电袋
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步骤2:真空包装
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步骤1:准备产品
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