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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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AC3M0015065KSIC MOSFET N-CH 650V 122A TO247- APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 650 V | 122A (Tc) | 15V | 21mOhm @ 55.8A, 15V | 3.6V @ 15.5mA | - | +19V, -8V | - | - | 416W (Tc) | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
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AC3M0015065DSIC MOSFET N-CH 650V 122A TO247- APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 650 V | 122A (Tc) | 15V | 21mOhm @ 55.8A, 15V | 3.6V @ 15.5mA | - | +19V, -8V | - | - | 416W (Tc) | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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AC3M0016120KSIC MOSFET N-CH 1200V 117A TO247 APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 117A (Tc) | 15V | 22.3mOhm @ 75A, 15V | 3.6V @ 23mA | - | +19V, -8V | - | - | 556W (Tc) | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
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AC3M0016120DSIC MOSFET N-CH 1200V 117A TO247 APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 117A (Tc) | 15V | 22.3mOhm @ 75A, 15V | 3.6V @ 23mA | - | +19V, -8V | - | - | 556W (Tc) | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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AC2M0045170KSIC MOSFET N-CH 1700V 74A TO247- APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1700 V | 74A | 20V | 70mOhm @ 50A, 20V | 4V @ 18mA | - | +25V, -10V | - | - | 520W | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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AC2M0045170DSIC MOSFET N-CH 1700V 74A TO247- APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1700 V | 74A | 20V | 70mOhm @ 50A, 20V | 4V @ 18mA | - | +25V, -10V | - | - | 520W | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
