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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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AC3M0032120DSIC MOSFET N-CH 1200V 64A TO247- APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 64A | 15V | 43mOhm @ 40A, 15V | 3.6V @ 11.5mA | - | +19V, -8V | - | - | 283W (Tc) | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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AC3M0065090DSIC MOSFET N-CH 900V 37A TO247-3 APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 900 V | 37A | 15V | 78mOhm @ 20A, 15V | 3.5V @ 5mA | - | +19V, -8V | - | - | 125W | -55°C ~ 150°C | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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AC3M0065100KSIC MOSFET N-CH 1000V 33A TO247- APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1000 V | 33A | 15V | 78mOhm @ 20A, 15V | 3.5V @ 5mA | - | +19V, -8V | - | - | 113.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
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AC3M0032120KSIC MOSFET N-CH 1200V 64A TO247- APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 64A | 15V | 43mOhm @ 40A, 15V | 3.6V @ 11.5mA | - | +19V, -8V | - | - | 283W (Tc) | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
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AC3M0025065KSIC MOSFET N-CH 650V 74A TO247-4 APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 650 V | 74A | 15V | 34mOhm @ 33.5A, 15V | 3.6V @ 9.22mA | - | +19V, -8V | - | - | 326W | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
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AC3M0030090KSIC MOSFET N-CH 900V 74A TO247-4 APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 900 V | 74A | 15V | 39mOhm @ 35A, 15V | 3.5V @ 11mA | - | +19V, -8V | - | - | 240W | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
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AC2M0025120DSIC MOSFET N-CH 1200V 92A TO247- APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 92A | 20V | 34mOhm @ 50A, 20V | 4V @ 15mA | - | +25V, -10V | - | - | 378W (Tc) | -55°C ~ 150°C | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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AC3M0025065DSIC MOSFET N-CH 650V 98A TO247-3 APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 650 V | 98A | 15V | 34mOhm @ 33.5A, 15V | 3.6V @ 9.22mA | - | +19V, -8V | - | - | 326W | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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AC3M0021120KSIC MOSFET N-CH 1200V 102A TO247 APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 102A (Tc) | 15V | 28.8mOhm @ 50A, 15V | 3.6V @ 17.7mA | - | +19V, -8V | - | - | 469W (Tc) | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
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AC3M0021120DSIC MOSFET N-CH 1200V 117A TO247 APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 82A | 15V | 28.8mOhm @ 50A, 15V | 3.6V @ 17.7mA | - | +19V, -8V | - | - | 469W (Tc) | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
