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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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AC2M1000170DSIC MOSFET N-CH 1700V 6A TO247-3 APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1700 V | 6A | 20V | 1.4Ohm @ 2A, 20V | 4V @ 0.5mA | - | +25V, -10V | - | - | 69W | -55°C ~ 150°C | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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AC3M0280090DSIC MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3 APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 900 V | 11A | 15V | 360mOhm @ 7.5A, 15V | 3.5V @ 1.2mA | - | +19V, -8V | - | - | 45W | -55°C ~ 150°C | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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AC3M0120100KSIC MOSFET N-CH 1000V 24A TO247- APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1000 V | 24A | 15V | 155mOhm @ 15A, 15V | 3.5V @ 3mA | - | +19V, -8V | - | - | 83W | -55°C ~ 150°C | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
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AC2M0160120DSIC MOSFET N-CH 1200V 18A TO247- APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 18A | 20V | 196mOhm @ 10A, 20V | 4V @ 2.5mA | - | +25V, -10V | - | - | 125W | -55°C ~ 150°C | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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AC2M0280120DSIC MOSFET N-CH 1200V 11A TO247- APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 11A | 20V | 370mOhm @ 6A, 20V | 4V @ 1.25mA | - | +25V, -10V | - | - | 69.4W (Tc) | -55°C ~ 150°C | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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AC3M0160120DSIC MOSFET N-CH 1200V 18A TO247- APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 18A | 15V | 208mOhm @ 8.5A, 15V | 3.6V @ 2.33mA | - | +19V, -8V | - | - | 97W (Tc) | -55°C ~ 150°C | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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AC3M0350120DSIC MOSFET N-CH 1200V 8A TO247-3 APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 8A | 15V | 455mOhm @ 3.6A, 15V | 3.6V @ 1mA | - | +19V, -8V | - | - | 50W | -55°C ~ 150°C | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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AC3M0120065KSIC MOSFET N-CH 650V 23A TO247-4 APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 650 V | 23A | 15V | 157mOhm @ 6.76A, 15V | 3.6V @ 1.86mA | - | +19V, -8V | - | - | 98W (Tc) | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
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AC3M0075120KSIC MOSFET N-CH 1200V 33A TO247- APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 33A | 15V | 90mOhm @ 20A, 15V | 3.6V @ 5mA | - | +19V, -8V | - | - | 136W | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
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AC2M0080120DSIC MOSFET N-CH 1200V 37A TO247- APSEMI |
10,000 | - |
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数据手册 |
* | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 37A | 20V | 98mOhm @ 20A, 20V | 4V @ 5mA | - | +25V, -10V | - | - | 129W (Tc) | -55°C ~ 150°C | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
