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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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G3035MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT-23 Goford Semiconductor |
117,000 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | - | 4.6A (Tc) | 4.5V, 10V | 59mOhm @ 4A, 10V | 2V @ 250µA | - | ±20V | - | - | 1.4W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23-3 |
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G2312MOSFET N-CH 20V 5A SOT-23 Goford Semiconductor |
75,000 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | - | 5A (Tc) | 4.5V, 10V | 18mOhm @ 4.2A, 10V | 1V @ 250µA | - | ±12V | - | - | 1.25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23-3 |
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3401MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23 Goford Semiconductor |
15,000 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | - | 4.2A (Tc) | 4.5V, 10V | 55mOhm @ 4A, 10V | 1.3V @ 250µA | - | ±12V | - | - | 1.2W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23-3 |
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G02P06MOSFET P-CH 60V 1.6A,SOT-23 Goford Semiconductor |
45,000 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | - | 1.6A (Tc) | 4.5V, 10V | 190mOhm @ 1A, 10V | 2.5V @ 250µA | - | ±20V | - | - | 1.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23-3 |
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GT6K2P10IHMOSFET P-CH 100V 1A SOT-23 Goford Semiconductor |
30,000 | - |
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数据手册 |
SGT | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | - | 1A (Tc) | 10V | 670mOhm @ 1A, 10V | 3V @ 250µA | - | ±20V | - | - | 1.4W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23-3 |
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06N06LMOSFET N-CH 60V 5.5A SOT-23-3L Goford Semiconductor |
39,000 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | - | 5.5A | - | 42mOhm @ 3A, 10V | 2.5V @ 250µA | - | ±20V | 765 pF @ 30 V | - | 960mW | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23-3 |
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G800N06HMOSFET N-CH 60V 3A SOT-223 Goford Semiconductor |
25,000 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | - | 3A (Tc) | 4.5V, 10V | 80mOhm @ 3A, 10V | 1.2V @ 250µA | - | ±20V | - | - | 1.2W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-223 |
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G7P03LMOSFET P-CH 30V 7A SOT-23-3L Goford Semiconductor |
150,000 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | - | 7A (Tc) | 4.5V, 10V | 23mOhm @ 3A, 10V | 2.5V @ 250µA | - | ±20V | - | - | 1.9W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23-3 |
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G09P02LMOSFET P-CH 20V 9A SOT-23-3L Goford Semiconductor |
90,000 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | - | 9A (Tc) | 2.5V, 4.5V | 20mOhm @ 1A, 4.5V | 1.2V @ 250µA | - | ±12V | - | - | 2.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23-3 |
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G2003AMOSFET N-CH 190V 3A SOT-23-3L Goford Semiconductor |
57,000 | - |
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数据手册 |
TrenchFET® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | - | 3A (Tc) | 4.5V, 10V | 540mOhm @ 2A, 10V | 3V @ 250µA | - | ±20V | - | - | 1.8W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23-3 |
