P3M12080K3

PN Junction Semiconductor P3M12080K3出售多余库存

产品型号:
P3M12080K3
制造商:
PN Junction Semiconductor
分类:
场效应晶体管(FETs)、MOSFETs
封装:
TO-247-3
数据手册:
P3M12080K3.pdf
描述:
SICFET N-CH 1200V 47A TO-247-3
数量:

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产品属性
属性值
制造商
PN Junction Semiconductor
系列:
P3M
封装/外壳:
TO-247-3
包装:
Tube
产品状态:
Active
FET 类型:
N-Channel
技术:
SiCFET (Silicon Carbide)
漏极到源极电压 (Vdss):
1200 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
47A
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻):
15V
导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs:
96mOhm @ 20A, 15V
栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id:
2.4V @ 5mA (Typ)
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:
-
栅极电压 (Vgs)(最大值):
+21V, -8V
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds:
-
FET 特性:
-
功耗(最大值):
221W
工作温度:
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级:
-
认证:
-
安装类型:
Through Hole
供应商设备封装:
TO-247-3L
分类:
场效应晶体管(FETs)、MOSFETs
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结果:

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步骤6:条形码货运标签
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步骤5:包装盒
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步骤4:单独包装
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步骤3:防静电袋
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步骤2:真空包装
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步骤1:准备产品
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