G01N20LE

Goford Semiconductor G01N20LE出售多余库存

产品型号:
G01N20LE
制造商:
Goford Semiconductor
分类:
场效应晶体管(FETs)、MOSFETs
封装:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
数据手册:
G01N20LE.pdf
描述:
N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
数量:

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总价:¥0

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产品属性
属性值
制造商
Goford Semiconductor
系列:
TrenchFET®
封装/外壳:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
包装:
Tape & Reel (TR)
产品状态:
Active
FET 类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压 (Vdss):
200 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
1.7A (Tc)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻):
4.5V, 10V
导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs:
700mOhm @ 1A, 10V
栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id:
2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:
12 nC @ 10 V
栅极电压 (Vgs)(最大值):
±20V
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds:
580 pF @ 25 V
FET 特性:
-
功耗(最大值):
1.5W (Tc)
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
等级:
-
认证:
-
安装类型:
Surface Mount
供应商设备封装:
SOT-23-3
分类:
场效应晶体管(FETs)、MOSFETs
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结果:

1. 如何在OEM STOCK上订购G01N20LE

目前,OEM STOCK只提供对等订单处理。当您提交询价时,我们的专业代理将与您联系,告知您全球市场上具有竞争力的价格,如果您接受我们的报价,我们的代理将提示您完成订单。

2. OEM STOCK如何保证G01N20LE来自原始制造商或授权代理商?

我们有一个专业且经验丰富的质量控制团队来严格验证和测试G01N20LE。所有供应商必须通过我们的资格审查,才能在OEM STOCK上发布包括G01N20LE在内的产品;我们比任何其他客户都更注重G01N20LE产品的渠道和质量。我们严格执行供应商审核,因此您可以放心购买。

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电汇、PayPal、支付宝、微信、信用卡、西联汇款、速汇金和托管都可以接受。

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步骤6:条形码货运标签
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步骤5:包装盒
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步骤4:单独包装
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步骤3:防静电袋
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步骤2:真空包装
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步骤1:准备产品
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