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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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SCT018W65G3-4AGTO247-4 STMicroelectronics |
100 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 55A (Tc) | 15V, 18V | 27mOhm @ 30A, 18V | 4.2V @ 5mA | 77 nC @ 18 V | +22V, -10V | 2077 pF @ 400 V | - | 398W (Tc) | -55°C ~ 200°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247-4 |
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SCT025W120G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE STMicroelectronics |
100 | - |
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数据手册 |
* | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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SCT025W120G3-4AGTO247-4 STMicroelectronics |
2,431 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 56A (Tc) | 15V, 18V | 37mOhm @ 25A, 18V | 4.2V @ 5mA | 73 nC @ 18 V | +18V, -5V | 1990 pF @ 800 V | - | 388W (Tc) | -55°C ~ 200°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247-4 |
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SCT012W90G3-4AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE STMicroelectronics |
100 | - |
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数据手册 |
* | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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SCT011HU75G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE STMicroelectronics |
2,810 | - |
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数据手册 |
* | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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STL9N65M2MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H STMicroelectronics |
1,000 | - |
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数据手册 |
- | - | Tape & Reel (TR) | Obsolete | - | - | - | 4.5A (Tc) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | - |
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STL12N65M2MOSFET N-CH 650V 5A POWERFLAT HV STMicroelectronics |
252 | - |
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数据手册 |
MDmesh™ | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 5A (Tc) | 10V | 750mOhm @ 3A, 10V | 4V @ 250µA | 12.5 nC @ 10 V | ±25V | 410 pF @ 100 V | - | 48W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerFlat™ (5x6) HV |
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STB2N62K3MOSFET N-CH 620V 2.2A TO263 STMicroelectronics |
634 | - |
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数据手册 |
SuperMESH3™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 620 V | 2.2A (Tc) | 10V | 3.6Ohm @ 1.1A, 10V | 4.5V @ 50µA | 15 nC @ 10 V | ±30V | 340 pF @ 50 V | - | 45W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
;;2.jpg)
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STD155N3H6MOSFET N-CH 30V 80A DPAK STMicroelectronics |
938 | - |
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数据手册 |
DeepGATE™, STripFET™ VI | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 80A (Tc) | 10V | 3mOhm @ 40A, 10V | 4V @ 250µA | 62 nC @ 10 V | ±20V | 3650 pF @ 25 V | - | 110W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
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STH175N4F6-6AGMOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 STMicroelectronics |
591 | - |
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数据手册 |
STripFET™ F6 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 120A (Tc) | 10V | 2.4mOhm @ 60A, 10V | 4.5V @ 250µA | 130 nC @ 10 V | ±20V | 7735 pF @ 20 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | H2PAK-2 |
