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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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P3M173K0T3SICFET N-CH 1700V 4A TO-220-3 PN Junction Semiconductor |
7,965 | - |
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数据手册 |
P3M | TO-220-2 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1700 V | 4A | 15V | 2.6Ohm @ 600mA, 15V | 2.2V @ 600µA (Typ) | - | +19V, -8V | - | - | 75W | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-2L |
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P3M12025K4SICFET N-CH 1200V 112A TO-247-4 PN Junction Semiconductor |
4,264 | - |
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数据手册 |
P3M | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 112A | 15V | 35mOhm @ 50A, 15V | 2.2V @ 50mA (Typ) | - | +19V, -8V | - | - | 577W | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4L |
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P3M171K0K3SICFET N-CH 1700V 6A TO-247-3 PN Junction Semiconductor |
3,426 | - |
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数据手册 |
P3M | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1700 V | 6A | 15V | 1.4Ohm @ 2A, 15V | 2.2V @ 2mA (Typ) | - | +19V, -8V | - | - | 68W | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3L |
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P3M12080K3SICFET N-CH 1200V 47A TO-247-3 PN Junction Semiconductor |
2,339 | - |
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数据手册 |
P3M | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 47A | 15V | 96mOhm @ 20A, 15V | 2.4V @ 5mA (Typ) | - | +21V, -8V | - | - | 221W | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3L |
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P3M06040K3SICFET N-CH 650V 68A TO247-3 PN Junction Semiconductor |
7,418 | - |
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数据手册 |
P3M | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 650 V | 68A | 15V | 50mOhm @ 40A, 15V | 2.4V @ 7.5mA (Typ) | - | +20V, -8V | - | - | 254W | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3L |
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P3M12160K3SICFET N-CH 1200V 19A TO-247-3 PN Junction Semiconductor |
4,073 | - |
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数据手册 |
P3M | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 19A | 15V | 192mOhm @ 10A, 15V | 2.4V @ 2.5mA (Typ) | - | +21V, -8V | - | - | 110W | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3L |
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P3M12080K4SICFET N-CH 1200V 47A TO-247-4 PN Junction Semiconductor |
4,112 | - |
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数据手册 |
P3M | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 47A | 15V | 96mOhm @ 20A, 15V | 2.4V @ 5mA (Typ) | - | +21V, -8V | - | - | 221W | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4L |
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P3M06060T3SICFET N-CH 650V 46A TO220-3 PN Junction Semiconductor |
6,339 | - |
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数据手册 |
P3M | TO-220-2 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 650 V | 46A | 15V | 79mOhm @ 20A, 15V | 2.2V @ 20mA (Typ) | - | +20V, -8V | - | - | 170W | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-2L |
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P3M06060G7SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7 PN Junction Semiconductor |
6,512 | - |
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数据手册 |
P3M | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 650 V | 44A | 15V | 79mOhm @ 20A, 15V | 2.2V @ 20mA (Typ) | - | +20V, -8V | - | - | 159W | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK-7 |
