场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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图片 制造商型号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
EPC2100

EPC2100

MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE

EPC

230
EPC2100

数据手册

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Active GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel (Half Bridge) - 30V 10A (Ta), 40A (Ta) 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
EPC2108

EPC2108

MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA

EPC

764
EPC2108

数据手册

eGaN® 9-VFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete GaNFET (Gallium Nitride) 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) - 60V, 100V 1.7A, 500mA 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V 22pF @ 30V, 7pF @ 30V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT

MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE

EPC

4,895
EPC2110ENGRT

数据手册

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Obsolete GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 120V 3.4A 60mOhm @ 4A, 5V 2.5V @ 700µA 0.8nC @ 5V 80pF @ 60V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
EPC2100ENGRT

EPC2100ENGRT

MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE

EPC

6,740
EPC2100ENGRT

数据手册

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Obsolete GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel (Half Bridge) - 30V 10A (Ta), 40A (Ta) 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE

EPC

4,646
EPC2106ENGRT

数据手册

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel (Half Bridge) - 100V 1.7A 70mOhm @ 2A, 5V 2.5V @ 600µA 0.73nC @ 5V 75pF @ 50V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
EPC2103ENGRT

EPC2103ENGRT

MOSFET 2N-CH 80V 23A DIE

EPC

9,834
EPC2103ENGRT

数据手册

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel (Half Bridge) - 80V 23A 5.5mOhm @ 20A, 5V 2.5V @ 7mA 6.5nC @ 5V 7600pF @ 40V - - - - Surface Mount Die
EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE

EPC

2,576
EPC2104ENGRT

数据手册

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel (Half Bridge) - 100V 23A 6.3mOhm @ 20A, 5V 2.5V @ 5.5mA 7nC @ 5V 800pF @ 50V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

MOSFET 2N-CH 80V 9.5A DIE

EPC

9,109
EPC2105ENGRT

数据手册

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel (Half Bridge) - 80V 9.5A 14.5mOhm @ 20A, 5V 2.5V @ 2.5mA 2.5nC @ 5V 300pF @ 40V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
EPC2101ENGRT

EPC2101ENGRT

MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE

EPC

9,308
EPC2101ENGRT

数据手册

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel (Half Bridge) - 60V 9.5A, 38A 11.5mOhm @ 20A, 5V 2.5V @ 2mA 2.7nC @ 5V 300pF @ 30V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
EPC2102ENGRT

EPC2102ENGRT

MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE

EPC

6,601
EPC2102ENGRT

数据手册

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel (Half Bridge) - 60V 23A (Tj) 4.4mOhm @ 20A, 5V 2.5V @ 7mA 6.8nC @ 5V 830pF @ 30V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
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