场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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图片 制造商型号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
EPC2106

EPC2106

MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE

EPC

59,446
EPC2106

数据手册

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Active GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel (Half Bridge) - 100V 1.7A 70mOhm @ 2A, 5V 2.5V @ 600µA 0.73nC @ 5V 75pF @ 50V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
EPC2103

EPC2103

MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE

EPC

5,410
EPC2103

数据手册

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Active GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel (Half Bridge) - 80V 28A 5.5mOhm @ 20A, 5V 2.5V @ 7mA 6.5nC @ 5V 760pF @ 40V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
EPC2107

EPC2107

MOSFET 3N-CH 100V 9BGA

EPC

5,182
EPC2107

数据手册

eGaN® 9-VFBGA Tape & Reel (TR) Active GaNFET (Gallium Nitride) 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) - 100V 1.7A, 500mA 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V 16pF @ 50V, 7pF @ 50V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
EPC2110

EPC2110

MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE

EPC

12,304
EPC2110

数据手册

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Active GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 120V 3.4A 60mOhm @ 4A, 5V 2.5V @ 700µA 0.8nC @ 5V 80pF @ 60V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - - Die
EPC2221

EPC2221

MOSFET 2N-CH 100V 5A DIE

EPC

4,063
EPC2221

数据手册

- Die Tape & Reel (TR) Active GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 100V 5A - - - - - 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
EPC2111

EPC2111

MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE

EPC

19,151
EPC2111

数据手册

- Die Tape & Reel (TR) Active GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel (Half Bridge) - 30V 16A (Ta) 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V 2.5V @ 5mA 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V 230pF @ 15V, 590pF @ 15V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
EPC2104

EPC2104

MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE

EPC

3,154
EPC2104

数据手册

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Active GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel (Half Bridge) - 100V 23A 6.3mOhm @ 20A, 5V 2.5V @ 5.5mA 7nC @ 5V 800pF @ 50V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
EPC2102

EPC2102

MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE

EPC

3,505
EPC2102

数据手册

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Active GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel (Half Bridge) - 60V 23A 4.4mOhm @ 20A, 5V 2.5V @ 7mA 6.8nC @ 5V 830pF @ 30V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
EPC2105

EPC2105

MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE

EPC

1,410
EPC2105

数据手册

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Active GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel (Half Bridge) - 80V 9.5A, 38A 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
EPC2101

EPC2101

MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE

EPC

469
EPC2101

数据手册

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Active GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel (Half Bridge) - 60V 9.5A, 38A 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
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