场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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图片 制造商型号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
HUF7554S3S

HUF7554S3S

MOSFET 80V 75A

Harris Corporation

839
HUF7554S3S

数据手册

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
RFF70N06/3

RFF70N06/3

MOSFET N-CH 60V 25A

Harris Corporation

4,266
RFF70N06/3

数据手册

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
HP4936DY

HP4936DY

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

Harris Corporation

1,838
HP4936DY

数据手册

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
RF1K4909096

RF1K4909096

RF1K4909096 - POWER FIELD-EFFECT

Harris Corporation

4,500
RF1K4909096

数据手册

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
RF1K4909396

RF1K4909396

RF1K4909396 - POWER FIELD-EFFECT

Harris Corporation

2,074
RF1K4909396

数据手册

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
IRFR21496

IRFR21496

MOSFET N-CH 250V 2.2A

Harris Corporation

993
IRFR21496

数据手册

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
RFD14N05S2515

RFD14N05S2515

MOSFET N-CH 50V 14A

Harris Corporation

900
RFD14N05S2515

数据手册

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
IRFU220S2497

IRFU220S2497

MOSFET N-CH

Harris Corporation

900
IRFU220S2497

数据手册

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
RF1S530SM9AS2457

RF1S530SM9AS2457

MOSFET N-CH

Harris Corporation

800
RF1S530SM9AS2457

数据手册

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
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