场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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图片 制造商型号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
RF1S17N06L

RF1S17N06L

MOSFET

Harris Corporation

4,370
RF1S17N06L

数据手册

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
RF1K49223

RF1K49223

MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8SOIC

Harris Corporation

37,842
RF1K49223

数据手册

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 30V 2.5A - - - - - - - - Surface Mount 8-SOIC
RF1S30N06LE

RF1S30N06LE

MOSFET N-CH 60V 30A

Harris Corporation

1,848
RF1S30N06LE

数据手册

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
RF1S30P05

RF1S30P05

MOSFET P-CH 50V 30A

Harris Corporation

1,040
RF1S30P05

数据手册

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
RF1S50N06SM9AS2551

RF1S50N06SM9AS2551

MOSFET 60V 50A

Harris Corporation

653
RF1S50N06SM9AS2551

数据手册

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
RF1S630

RF1S630

MOSFET N-CH 200V 9A

Harris Corporation

755
RF1S630

数据手册

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
RFIS70N06SM

RFIS70N06SM

MOSFET N-CH 60V 70A

Harris Corporation

1,000
RFIS70N06SM

数据手册

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
RF1S40N10LE

RF1S40N10LE

MOSFET N-CH 100V 40A

Harris Corporation

1,368
RF1S40N10LE

数据手册

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
RFIS40N10LE

RFIS40N10LE

MOSFET N-CH 100V 40A

Harris Corporation

800
RFIS40N10LE

数据手册

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
RFIS30P06

RFIS30P06

MOSFET P-CH 60V 30A

Harris Corporation

1,100
RFIS30P06

数据手册

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
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