场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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图片 制造商型号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
WAS310M17BM3

WAS310M17BM3

SIC 1700V 310A

Wolfspeed, Inc.

4,750
WAS310M17BM3

数据手册

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) - - 1700V (1.7kV) 310A - - - - - - - - Chassis Mount -
HAS310M17BM3

HAS310M17BM3

MOSFET 2N-CH 1700V 399A

Wolfspeed, Inc.

3,182
HAS310M17BM3

数据手册

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1700V 399A (Tc) 5.8mOhm @ 310A, 15V 3.6V @ 102mA 996nC @ 15V 31500pF @ 1000V 1.63kW (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
CAB320M17XM3

CAB320M17XM3

SIC 1700V 320A MODULE

Wolfspeed, Inc.

3,424
CAB320M17XM3

数据手册

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) - - 1700V (1.7kV) 320A (Tc) - - - - - - - - Chassis Mount -
WAB300M12BM3

WAB300M12BM3

MOSFET 2N-CH 1200V 382A MODULE

Wolfspeed, Inc.

8,403
WAB300M12BM3

数据手册

- Module Bulk Last Time Buy Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 382A (Tc) 5.2mOhm @ 300A, 15V 3.6V @ 92mA 908nC @ 15V 24500pF @ 1000V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount Module
CAB650M17HM3

CAB650M17HM3

MOSFET 2N-CH 1700V 916A MODULE

Wolfspeed, Inc.

3,081
CAB650M17HM3

数据手册

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1700V (1.7kV) 916A (Tc) 1.86mOhm @ 650A, 15V 3.6V @ 305mA 2988nC @ 15V 97300pF @ 1200V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount Module
CAS300M12BM2

CAS300M12BM2

MOSFET 2N-CH 1200V 423A MODULE

Wolfspeed, Inc.

3,853
CAS300M12BM2

数据手册

Z-FET™ Module, Screw Terminals Bulk Not For New Designs Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 423A (Tc) 5.7mOhm @ 300A, 20V 2.3V @ 15mA (Typ) 1025nC @ 20V 19500pF @ 800V 1660W 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
CAB760M12HM3R

CAB760M12HM3R

MOSFET 2N-CH 1200V 1.015KA MODUL

Wolfspeed, Inc.

8,623
CAB760M12HM3R

数据手册

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 1.015kA (Tc) 1.73mOhm @ 760A, 15V 3.6V @ 280mA 2724nC @ 15V 79400pF @ 800V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount Module
WAS350M12BM3

WAS350M12BM3

MOSFET 2N-CH 1200V 417A

Wolfspeed, Inc.

5,400
WAS350M12BM3

数据手册

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 417A (Tc) 5.2mOhm @ 350A, 15V 3.6V @ 85mA 844nC @ 15V 25700pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
WAS530M12BM3

WAS530M12BM3

MOSFET 2N-CH 1200V 630A

Wolfspeed, Inc.

9,932
WAS530M12BM3

数据手册

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 630A (Tc) 3.47mOhm @ 530A, 15V 3.6V @ 127mA 1362nC @ 15V 38900pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
CAS380M17HM3

CAS380M17HM3

MOSFET 2N-CH 1700V 532A MODULE

Wolfspeed, Inc.

4,432
CAS380M17HM3

数据手册

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1700V (1.7kV) 532A (Tc) 3.74mOhm @ 380A, 15V 3.6V @ 152mA 1494nC @ 15V 4700pF @ 1200V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount Module
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