场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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图片 制造商型号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
CAB011M12FM3

CAB011M12FM3

MOSFET 2N-CH 1200V 105A

Wolfspeed, Inc.

2,579
CAB011M12FM3

数据手册

WolfPACK™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 105A 14mOhm @ 100A, 15V 3.6V @ 35mA 324nC @ 15V 10300pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
CAB008A12GM3

CAB008A12GM3

MOSFET 2N-CH 1200V 182A

Wolfspeed, Inc.

4,470
CAB008A12GM3

数据手册

- Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 182A (Tj) 10.4mOhm @ 150A, 15V 3.6V @ 46mA 472nC @ 15V 13600pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
CAB016M12FM3T

CAB016M12FM3T

MOSFET 2N-CH 1200V 78A MODULE

Wolfspeed, Inc.

2,396
CAB016M12FM3T

数据手册

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 78A (Tj) 21.3mOhm @ 80A, 15V 3.6V @ 23mA 236nC @ 15V 6600pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
CAB011M12FM3T

CAB011M12FM3T

MOSFET 2N-CH 1200V 105A MODULE

Wolfspeed, Inc.

2,033
CAB011M12FM3T

数据手册

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 105A (Tj) 14mOhm @ 100A, 15V 3.6V @ 35mA 324nC @ 15V 10300pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
CCB032M12FM3T

CCB032M12FM3T

MOSFET 6N-CH 1200V 40A MODULE

Wolfspeed, Inc.

1,468
CCB032M12FM3T

数据手册

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 1200V (1.2kV) 40A (Tj) 42.6mOhm @ 30A, 15V 3.6V @ 11.5mA 118nC @ 15V 3400pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
CCB021M12FM3T

CCB021M12FM3T

MOSFET 6N-CH 1200V 51A MODULE

Wolfspeed, Inc.

1,447
CCB021M12FM3T

数据手册

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 1200V (1.2kV) 51A (Tj) 27.9mOhm @ 30A, 15V 3.6V @ 17.7mA 162nC @ 15V 4900pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
CAB008M12GM3T

CAB008M12GM3T

MOSFET 2N-CH 1200V 146A MODULE

Wolfspeed, Inc.

2,981
CAB008M12GM3T

数据手册

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 146A (Tj) 10.4mOhm @ 150A, 15V 3.6V @ 46mA 472nC @ 15V 13600pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
CAB7R5A23GM4

CAB7R5A23GM4

MOSFET 2N-CH 2300V 150A

Wolfspeed, Inc.

2,172
CAB7R5A23GM4

数据手册

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 2300V (2.3kV) 150A 10.5mOhm @ 160A, 15V 4V @ 76mA 590nC @ 15V 24400pF @ 1.5kV 510W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
CCB016M12GM3

CCB016M12GM3

MOSFET 6N-CH 1200V 50A MODULE

Wolfspeed, Inc.

1,095
CCB016M12GM3

数据手册

- Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel - 1200V (1.2kV) 50A (Tj) 20.8mOhm @ 50A, 15V 3.9V @ 23mA 236nC @ 15V 6700pF @ 1000V 10mW -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
CAB006M12GM3T

CAB006M12GM3T

MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE

Wolfspeed, Inc.

3,267
CAB006M12GM3T

数据手册

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 200A (Tj) 6.9mOhm @ 200A, 15V 3.6V @ 69mA 708nC @ 15V 20400pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
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