| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) | 电流 - 平均整流(Io) | 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If | 速度 | 反向恢复时间 (trr) | 电流 - 反向漏电 @ Vr | 电容 @ Vr, F | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 | 工作温度 - 结点 |
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NC1D120C10ATNGSiC Schottky 1200V 10A TO220- 2L NovuSem |
500 |
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数据手册 |
NC1D | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 10A | 1.6 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 35 µA @ 1200 V | 670pF @ 0.1V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220-2L | -55°C ~ 175°C |
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NC1D120C20KTNGSiC Schottky 1200V 20A TO247- 2L NovuSem |
500 |
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数据手册 |
NC1D | TO-247-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 20A | 1.6 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | 1371pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-247-2L | -55°C ~ 175°C |
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NC1D120C30KTNGSiC Schottky 1200V 30A TO247- 2L NovuSem |
300 |
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数据手册 |
NC1D | TO-247-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 30A | 1.6 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 85 µA @ 1200 V | 2125pF @ 0.1V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-247-2L | -55°C ~ 175°C |