单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点





































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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图片 制造商型号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
IV1D06006O2

IV1D06006O2

DIODE SIL CARB 650V 17.4A TO220

Inventchip

132
IV1D06006O2

数据手册

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 17.4A 1.65 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 650 V 212pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
IV1D06006P3

IV1D06006P3

DIODE SIC 650V 16.7A TO252-3

Inventchip

2,481
IV1D06006P3

数据手册

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16.7A 1.65 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 650 V 224pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-3 -55°C ~ 175°C
IV1D12005O2

IV1D12005O2

DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO220-2

Inventchip

164
IV1D12005O2

数据手册

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 17A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 320pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
IV1D12010O2

IV1D12010O2

DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO220-2

Inventchip

190
IV1D12010O2

数据手册

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 28A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 575pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
IV1D12010T2

IV1D12010T2

DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2

Inventchip

107
IV1D12010T2

数据手册

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 30A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 575pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
IV1D12015T2

IV1D12015T2

DIODE SIL CARB 1.2KV 44A TO247-2

Inventchip

120
IV1D12015T2

数据手册

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 44A 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 1200 V 888pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
IV1D12020T2

IV1D12020T2

DIODE SIL CARB 1.2KV 54A TO247-2

Inventchip

110
IV1D12020T2

数据手册

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 54A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 1200 V 1114pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
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