| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | IGBT 类型 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic | 功率 - 最大值 | 开关能量 | 输入类型 | 栅极电荷 | 导通/关断时间 (Td) @ 25°C | 测试条件 | 反向恢复时间 (trr) | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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WG50N65DHWQIGBT TRENCH FS 650V 91A TO247-3 WeEn Semiconductors |
311 |
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数据手册 |
- | TO-247-3 | Tube | Active | Trench Field Stop | 650 V | 91 A | 200 A | 2V @ 15V, 50A | 278 W | 1.7mJ (on), 600µJ (off) | Standard | 160 nC | 66ns/163ns | 400V, 50A, 10Ohm, 15V | 105 ns | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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WG50N65DHJQWG50N65DHJ/SOT1293/STANDARD MARK WeEn Semiconductors |
9,275 |
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数据手册 |
- | TO-247-3 | Bulk | Active | Trench Field Stop | 650 V | 91 A | 200 A | 2V @ 15V, 50A | 278 W | 1.7mJ (on), 600µJ (off) | Standard | 160 nC | 66ns/163ns | 400V, 50A, 10Ohm, 15V | 105 ns | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |