| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | IGBT 类型 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic | 功率 - 最大值 | 开关能量 | 输入类型 | 栅极电荷 | 导通/关断时间 (Td) @ 25°C | 测试条件 | 反向恢复时间 (trr) | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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IPQ-5312-0-MRQFN251-TR-03-0IPQ-5312-0-MRQFN251-TR-03-0. Qualcomm |
7,126 |
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数据手册 |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IPQ-5312-0-MRQFN251-MT-03-0IPQ-5312-0-MRQFN251-MT-03-0. Qualcomm |
2,500 |
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数据手册 |
- | - | Tray | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |