IGBT 模块

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装




































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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图片 制造商型号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装
VS-CPV362M4UPBF

VS-CPV362M4UPBF

IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,719
VS-CPV362M4UPBF

数据手册

- 19-SIP (13 Leads), IMS-2 Bulk Obsolete - - 600 V 7.2 A 23 W 2.2V @ 15V, 3.9A 250 µA 530 pF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole IMS-2
VS-CPV363M4FPBF

VS-CPV363M4FPBF

IGBT MODULE 600V 3PHASE IMS-2

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,179
VS-CPV363M4FPBF

数据手册

- 19-SIP (13 Leads), IMS-2 Bulk Obsolete - - - - - - - - - No -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole IMS-2
VS-CPV363M4KPBF

VS-CPV363M4KPBF

IGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,738
VS-CPV363M4KPBF

数据手册

- 19-SIP (13 Leads), IMS-2 Bulk Obsolete - - 600 V 11 A 36 W 2.1V @ 15V, 6A 250 µA 740 pF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole IMS-2
VS-CPV364M4FPBF

VS-CPV364M4FPBF

IGBT MODULE 600V 27A 63W IMS-2

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,152
VS-CPV364M4FPBF

数据手册

- 19-SIP (13 Leads), IMS-2 Bulk Obsolete - - 600 V 27 A 63 W 1.5V @ 15V, 15A 250 µA 2.2 nF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole IMS-2
VS-CPV364M4UPBF

VS-CPV364M4UPBF

IGBT MODULE 600V 20A 63W IMS-2

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,550
VS-CPV364M4UPBF

数据手册

- 19-SIP (13 Leads), IMS-2 Bulk Obsolete - - 600 V 20 A 63 W 2.1V @ 15V, 10A 250 µA 2.1 nF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole IMS-2
VS-CPV362M4FPBF

VS-CPV362M4FPBF

IGBT MODULE 600V 8.8A 23W IMS-2

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,271
VS-CPV362M4FPBF

数据手册

- 19-SIP (13 Leads), IMS-2 Bulk Obsolete - - 600 V 8.8 A 23 W 1.7V @ 15V, 4.8A 250 µA 340 pF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole IMS-2
VS-EMG050J60N

VS-EMG050J60N

IGBT MOD 600V 88A 338W EMIPAK2

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,087
VS-EMG050J60N

数据手册

- EMIPAK2 Bulk Obsolete - Half Bridge 600 V 88 A 338 W 2.1V @ 15V, 50A 100 µA 9.5 nF @ 30 V Standard Yes 150°C (TJ) Chassis Mount EMIPAK2
VS-ENQ030L120S

VS-ENQ030L120S

IGBT MOD 1200V 61A EMIPAK-1B

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,623
VS-ENQ030L120S

数据手册

- EMIPAK-1B Bulk Active Trench Three Level Inverter 1200 V 61 A 216 W 2.52V @ 15V, 30A 230 µA 3.34 nF @ 30 V Standard Yes 150°C (TJ) Chassis Mount EMIPAK-1B
VS-ETL015Y120H

VS-ETL015Y120H

IGBT MOD 1200V 22A 89W EMIPAK-2B

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,855
VS-ETL015Y120H

数据手册

- EMIPAK-2B Bulk Active Trench - 1200 V 22 A 89 W 3.03V @ 15V, 15A 75 µA 1.07 nF @ 30 V Standard Yes 150°C (TJ) Chassis Mount EMIPAK-2B
VS-GA100NA60UP

VS-GA100NA60UP

IGBT MOD 600V 100A 250W SOT227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,404
VS-GA100NA60UP

数据手册

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Obsolete - Single 600 V 100 A 250 W 2.1V @ 15V, 50A 250 µA 7.4 nF @ 30 V Standard No -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227
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