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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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EPC2016GANFET N-CH 100V 11A DIE EPC |
2,747 | - |
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数据手册 |
eGaN® | Die | Tape & Reel (TR) | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 100 V | 11A (Ta) | 5V | 16mOhm @ 11A, 5V | 2.5V @ 3mA | 5.2 nC @ 5 V | +6V, -5V | 520 pF @ 50 V | - | - | -40°C ~ 125°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Die |
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EPC2018GANFET N-CH 150V 12A DIE EPC |
4,747 | - |
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数据手册 |
eGaN® | Die | Tape & Reel (TR) | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 150 V | 12A (Ta) | 5V | 25mOhm @ 6A, 5V | 2.5V @ 3mA | 7.5 nC @ 5 V | +6V, -5V | 540 pF @ 100 V | - | - | -40°C ~ 125°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Die |
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EPC2030ENGRTGANFET NCH 40V 31A DIE EPC |
6,032 | - |
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数据手册 |
eGaN® | Die | Tape & Reel (TR) | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 40 V | 31A (Ta) | 5V | 2.4mOhm @ 30A, 5V | 2.5V @ 16mA | 18 nC @ 5 V | +6V, -4V | 1900 pF @ 20 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Die |
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EPC2031ENGRTGANFET NCH 60V 31A DIE EPC |
8,440 | - |
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数据手册 |
eGaN® | Die | Tape & Reel (TR) | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 60 V | 31A (Ta) | 5V | 2.6mOhm @ 30A, 5V | 2.5V @ 15mA | 17 nC @ 5 V | +6V, -4V | 1800 pF @ 300 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Die |
