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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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CGD65B240SH2650V GAN HEMT, 240MOHM, DFN5X6. Cambridge GaN Devices |
4,770 | - |
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数据手册 |
ICeGaN™ | 8-PowerVDFN | Cut Tape (CT) | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 7A | 12V | 336mOhm @ 500mA, 12V | 4.2V @ 2.3mA | 1.2 nC @ 12 V | +20V, -1V | - | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-DFN (5x6) |
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CGD65B200S2-T13650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6. Cambridge GaN Devices |
4,174 | - |
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数据手册 |
ICeGaN™ | 8-PowerVDFN | Cut Tape (CT) | Active | - | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 8.5A (Tc) | 9V, 20V | 280mOhm @ 600mA, 12V | 4.2V @ 2.75mA | 1.4 nC @ 12 V | +20V, -1V | - | Current Sensing | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-DFN (5x6) |
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CGD65B130SH2650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6. Cambridge GaN Devices |
4,992 | - |
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数据手册 |
ICeGaN™ | 8-PowerVDFN | Cut Tape (CT) | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 12A | 12V | 182mOhm @ 900mA, 12V | 4.2V @ 4.2mA | 1.9 nC @ 12 V | +20V, -1V | - | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-DFN (5x6) |
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CGD65A130SH2650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8. Cambridge GaN Devices |
3,469 | - |
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数据手册 |
ICeGaN™ | 16-PowerVDFN | Cut Tape (CT) | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 12A | 12V | 182mOhm @ 900mA, 12V | 4.2V @ 4.2mA | 1.9 nC @ 12 V | +20V, -1V | - | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 16-DFN (8x8) |
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CGD65B130S2-T13650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6. Cambridge GaN Devices |
4,875 | - |
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数据手册 |
ICeGaN™ | 8-PowerVDFN | Cut Tape (CT) | Active | - | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 12A (Tc) | 9V, 20V | 182mOhm @ 900mA, 12V | 4.2V @ 4.2mA | 2.3 nC @ 12 V | +20V, -1V | - | Current Sensing | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-DFN (5x6) |
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CGD65A130S2-T13650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8. Cambridge GaN Devices |
3,306 | - |
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数据手册 |
ICeGaN™ | 16-PowerVDFN | Cut Tape (CT) | Active | - | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 12A (Tc) | 12V | 182mOhm @ 900mA, 12V | 4.2V @ 4.2mA | 2.3 nC @ 12 V | +20V, -1V | - | Current Sensing | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 16-DFN (8x8) |
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CGD65A055SH2650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W Cambridge GaN Devices |
3,239 | - |
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数据手册 |
ICeGaN™ H2 | 16-PowerVDFN | Cut Tape (CT) | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 27A | 12V | 77mOhm @ 2.2A, 12V | 4.2V @ 10mA | 4 nC @ 12 V | +20V, -1V | - | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 16-DFN (8x8) |
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CGD65A055S2-T07650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W Cambridge GaN Devices |
674 | - |
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数据手册 |
ICeGaN™ | 16-PowerVDFN | Cut Tape (CT) | Active | - | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 27A (Tc) | 12V | 77mOhm @ 2.2A, 12V | 4.2V @ 10mA | 6 nC @ 12 V | +20V, -1V | - | Current Sensing | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 16-DFN (8x8) |
