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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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TM3E0039120ASIC MOSFET Coherent Corp |
3,556 | - |
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数据手册 |
- | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tray | Active | N-Channel | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 1200 V | 60A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | TO-263-7 |
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TM3B0039120ASIC MOSFET Coherent Corp |
1,590 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 1200 V | 60A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247-4 |
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TM3B0020120A1200V 20MOHM SIC MOSFET TO247-4 Coherent Corp |
3,036 | - |
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数据手册 |
- | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
