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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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CC-CL-75-1023SiC MOSFET 33A 1200V TO-247-3 CoolCAD |
995 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-3 | Bulk | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 33A | 15V, 20V | 70mOhm @ 10A, 20V | 2.9V @ 10mA | 90 nC @ 18 V | +20V, -5V | 930 pF @ 1000 V | - | 135W | 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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CC-C2-B15-0322SiC Power MOSFET 1200V 12A CoolCAD |
2,543 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-4 | Bulk | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 12A (Ta) | 15V | 135mOhm @ 10A, 15V | 3.2V @ 5mA | 40 nC @ 15 V | +15V, -5V | 1810 pF @ 200 V | - | 100W (Tc) | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 |
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CC-CN-23-0123SiC MOSFET 20A 1200V TO-247-3 CoolCAD |
4,752 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-3 | Bulk | Active | - | SiCFET (Silicon Carbide) | - | 20A (Ta) | - | 85mOhm @ 10A, 15V | 2.4V @ 5mA | 16 nC @ 5 V | - | 810 pF @ 200 V | - | - | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
