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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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NC1M120C75GTNGSiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 3 NovuSem |
2,400 | - |
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数据手册 |
NC1M | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 47A (Tc) | 20V | 75mOhm @ 20A, 20V | 2.8V @ 5mA | - | +20V, -5V | 1450 pF @ 1000 V | - | 288W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3L |
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NC1M120C12HTNGSiC MOSFET N 1200V 12mohm 214A NovuSem |
100 | - |
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数据手册 |
NC1M | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 214A (Tc) | 20V | 20mOhm @ 100A, 20V | 3.5V @ 40mA | - | +20V, -5V | 8330 pF @ 1000 V | - | 938W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4L |
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NC1M120C75HTNGSiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4 NovuSem |
100 | - |
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数据手册 |
NC1M | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 47A (Tc) | 20V | 75mOhm @ 20A, 20V | 2.8V @ 5mA | - | +20V, -5V | 1450 pF @ 1000 V | - | 288W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4L |
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NC1M120C75RRNGSiC MOSFET N 1200V 75mohm 46A 7 NovuSem |
100 | - |
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数据手册 |
NC1M | TO-263-8, DPak (7 Leads + Tab) | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 46A (Tc) | 18V | 75mOhm @ 20A, 18V | 2.3V @ 5mA | - | +18V, -5V | 1402 pF @ 1000 V | - | 240W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263-7L |
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NC1M120C40GTNGSiC MOSFET N 1200V 40mohm 76A 3 NovuSem |
100 | - |
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数据手册 |
NC1M | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 76A (Tc) | 20V | 40mOhm @ 35A, 20V | 2.8V @ 10mA | - | +20V, -5V | 2534 pF @ 1000 V | - | 375W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3L |
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NC1M120C40HTNGSiC MOSFET N 1200V 40mohm 75A 4 NovuSem |
100 | - |
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数据手册 |
NC1M | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 75A (Tc) | 20V | 40mOhm @ 35A, 20V | 2.8V @ 10mA | - | +20V, -5V | 2534 pF @ 1000 V | - | 366W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4L |
