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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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AM90N20-78BMOSFET N-CH 200V 90A TO-263 Analog Power Inc. |
2,913 | - |
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数据手册 |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 90A (Tc) | 6V, 10V | 78mOhm @ 57A, 10V | 1V @ 250µA | 57 nC @ 6 V | ±20V | 4467 pF @ 15 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 |
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AM14N65PMOSFET N-CH 650V 14A TO-220 Analog Power Inc. |
4,692 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 14A (Tc) | 10V | 650mOhm @ 18A, 10V | 2V @ 250µA | 29 nC @ 6 V | ±30V | 3469 pF @ 15 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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AM202N04-04PMOSFET N-CH 40V 202A TO-220 Analog Power Inc. |
3,320 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 202A (Tc) | 5.5V, 10V | 4.6mOhm @ 202A, 10V | 1V @ 250µA | 69 nC @ 5.5 V | ±20V | 9569 pF @ 15 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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AM90N10-14PMOSFET N-CH 100V 90A TO-220 Analog Power Inc. |
1,523 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 90A (Ta) | 5.5V, 10V | 16mOhm @ 30A, 10V | 1V @ 250µA | 60 nC @ 5.5 V | ±20V | 4221 pF @ 15 V | - | 300W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
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AM40N10-28DMOSFET N-CH 100V 34.6A TO-252 Analog Power Inc. |
4,657 | - |
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数据手册 |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 35A (Tc) | 4.5V, 10V | 28mOhm @ 35A, 10V | 1V @ 250µA | 30 nC @ 10 V | ±20V | - | - | 50W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 |
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AMTP65H150G4PSGAN FET N-CH 650V TO-220 Analog Power Inc. |
1,718 | - |
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数据手册 |
- | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 13A (Tc) | 10V | 150mOhm @ 10A, 10V | 1V @ 250µA | 8 nC @ 6 V | ±20V | 598 pF @ 400 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
