上传BOM单
场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部应用
全部重置
结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
APT35SM70SSICFET 700V 35A TO247-3 Microsemi Corporation |
8,786 | - |
|
数据手册 |
- | TO-247-3 | Bulk | Obsolete | - | SiCFET (Silicon Carbide) | 700 V | 35A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
|
APT5SM170BSICFET N-CH 1700V 5A TO247-3 Microsemi Corporation |
9,010 | - |
|
数据手册 |
- | TO-247-3 | Bulk | Obsolete | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1700 V | 5A (Tc) | 20V | 1.25Ohm @ 2.5A, 20V | 3.2V @ 500µA | 21 nC @ 20 V | +25V, -10V | 249 pF @ 1000 V | - | 65W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
APT5SM170SSICFET N-CH 1700V 4.6A D3PAK Microsemi Corporation |
8,689 | - |
|
数据手册 |
- | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Bulk | Obsolete | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1700 V | 4.6A (Tc) | 20V | 1.2Ohm @ 2A, 20V | 3.2V @ 500µA | 29 nC @ 20 V | +25V, -10V | 325 pF @ 1000 V | - | 52W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D3PAK |
