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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 制造商 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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结果
| 图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | FET 特性 | 功耗（最大值） | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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WNSC2M1K0170WQWNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MAR WeEn Semiconductors |
7,741 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1700 V | 7A (Ta) | 15V, 18V | 1Ohm @ 1A, 18V | 4.2V @ 800µA | 12 nC @ 18 V | +22V, -10V | 225 pF @ 1000 V | - | 79W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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WNSCM160120WQWNSCM160120W/TO-247/STANDARD MAR WeEn Semiconductors |
3,465 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 24A (Ta) | 20V | 196mOhm @ 10A, 20V | 4.5V @ 3mA | 35 nC @ 20 V | +25V, -10V | 736 pF @ 1000 V | - | 155W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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WNSCM80120WQWNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARK WeEn Semiconductors |
9,278 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 42A (Ta) | 20V | 98mOhm @ 20A, 20V | 4.5V @ 6mA | 59 nC @ 20 V | +25V, -10V | 1350 pF @ 1000 V | - | 230W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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WNSCM80120RQWNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MA WeEn Semiconductors |
7,616 | - |
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数据手册 |
- | TO-247-4 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 45A (Ta) | 20V | 98mOhm @ 20A, 20V | 4.5V @ 6mA | 59 nC @ 20 V | +25V, -10V | 1350 pF @ 1000 V | - | 270W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4L |
